QS043-402-20372（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－Ｄ½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２
３００ Ａ，１２００Ｖ
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１2Ｃ
108
93
± 0 .2 5
14 11 14 11 14
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
110
93
± 0 .2 5
14 11 14 11 14
3-M6
4-Ø6.5
3-M6
4-Ø 6.5
80
13
20
11
62
11 13
20
6
6
6
5(E1)
4(G1)
4
25
25
16
9
16
25
24
25
9
16
24
16
8
9
16
9
16
8
30
- 0.5
+1.0
- 0.5
+1.0
23
30
PDMB300BS12
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
7
PDMB300BS12C
Dimension:［mm½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½
Ｖ½½½½
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
Ｉ½½½
１，２００
±２０
３００
６００
１，８００
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 300A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 300mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
= 600V
Ｒ
L
= 2.0Ω
Ｒ
G
= 5.1Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.３
－
18,900
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｍ½½.
３.０
１.０
２.７
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
7
23
LABEL
LABEL
6
5
5
4
15 6
48
± 0 .2 5
15 6
62
± 0 .2 5
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
1
2
3
7
1
2
3
7
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
３００
６００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 300A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 300A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 600A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
２.２
０.２
Ｍ½½.
２.６
０.３
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.０６９
℃／Ｗ
０.１４３
01
日本インター株式会社
QS043-402-20372（3/5）
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
600
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
T
C
=25°C
600
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
11V
V
GE
=20V
500
12V
11V
500
15V
15V
Collector Current I
C
(A)
400
10V
Collector Current I
C
(A)
400
10V
300
300
9V
200
9V
200
8V
100
8V
7V
100
7V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=150A
300A
600A
I
C
=150A
600A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
300A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
800
700
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
16
14
300000
100000
R
L
=2.0
T
C
=25°C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Cies
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
600
500
400
300
200
100
0
0
12
10
8
6
4
2
0
2500
30000
Capacitance C (pF)
10000
3000
1000
300
100
30
V
CE
=600V
400V
200V
Coes
Cres
500
1000
1500
2000
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
01
日本インター株式会社
QS043-402-20372（4/5）
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
2
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
5
3
1.6
V
CC
=600V
R
G
=5.1
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
V
CC
=600V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
toff
tf
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
t
OFF
1.2
1
0.3
ton
0.8
t
f
t
ON
t
r(V
CE
)
0
50
100
150
200
250
300
0.4
0.1
tr
(V
CE
)
0
0.03
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
V
CC
=600V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
toff
ton
3
t
OFF
Switching Time t (µs)
1
V
CC
=600V
R
G
=5.1
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
5
Switching Time t (µs)
2
1
0.5
t
f
0.3
t
ON
0.1
0.2
t
r(Ic)
0.03
tf
0.1
0.05
tr
(I
C
)
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
0.02
3
10
30
50
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
120
300
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
V
CC
=600V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
100
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
100
V
CC
=600V
R
G
=5.1
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
80
E
ON
E
ON
60
E
OFF
30
E
OFF
40
E
RR
20
E
RR
0
0
100
200
300
400
500
10
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
01
日本インター株式会社
QS043-402-20372（5/5）
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２
ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ
600
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
500
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
F
=300A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
trr
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Forward Current I
F
(A)
300
400
300
100
I
RrM
200
30
100
0
0
1
2
3
4
10
0
600
1200
1800
2400
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area
2000
1000
300
R
G
=5.1 , V
GE
=±15V, T
C
=125°C
Collector Current I
C
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
1
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
3x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
01
日本インター株式会社
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
