QS043-402-20396（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－D ½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
８００Ａ，６００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
36
140
130
110
43.8
10
13.8 11.5
4 - Ø6.5
ＰＤＭＢ８００Ｅ６
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
1
3-M8
7
6
2
3
5
65
5(E1)
4(G1)
4
4-M4
LABEL
4
24
35
14.5
40
110
130
14.5
20.5
10
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
Ｉ½½½
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
ＤＣ
１½½
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
８００
１,６００
２,７００
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｍ４
Ｍ８
１.４（１４.３）
１０.５（ １ ０ ７ ）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｔerminals
□ 電 気 的 特 性
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 800V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 800mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
300V
0.375Ω
1.5Ω
±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.１
－
40,000
０.１５
０.３０
０.１０
０.４０
Ｍ½½.
１.０
１.０
２.６
８.０
－
０.３５
０.８５
０.２５
０.８０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
８００
１,６００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 1600A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.１５
Ｍ½½.
２.４
０.２５
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.０４５
℃／Ｗ
０.１１０
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（3/5）
ＰＤＭＢ８００Ｅ６
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
1600
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
T
C
=25°C
1600
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12V
11V
15V
1400
1200
1000
800
600
400
15V
11V
Collector Current I
C
(A)
Collector Current I
C
(A)
10V
10V
9V
9V
8V
8V
200
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=400A
800A
1600A
I
C
=400A
800A
1600A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
400
350
16
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
100000
R
L
=0.375
T
C
=25°C
14
30000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
Capacitance C (pF)
Cies
10000
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
3500
Coes
3000
Cres
1000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（4/5）
ＰＤＭＢ8００Ｅ６
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
1
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
10
5
0.8
t
OFF
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
2
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
0.6
1
0.5
t
f
0.4
toff
0.2
ton
0.1
tr
(V
CE
)
tf
0.2
t
ON
t
r(V
CE
)
0.05
0
0
200
400
600
800
1000
1200
0.02
1
1.5
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
1
t
OFF
t
ON
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
5
2
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
1
0.5
0.1
t
f
t
r(Ic)
toff
tr
(I
C
)
ton
tf
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0
200
400
600
800
1000
1200
0.02
1
1.5
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
80
3000
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
60
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
E
OFF
1000
E
ON
300
100
E
ON
40
E
OFF
E
RR
E
RR
20
30
10
3
0
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1
1.5
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（5/5）
ＰＤＭＢ8００Ｅ６
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
F
=800A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
500
Forward Current I
F
(A)
trr
200
I
RrM
100
0
1
2
3
4
50
0
800
1600
2400
3200
4000
4800
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area
5000
2000
1000
500
R
G
=1.5 , V
GE
=±15V, T
C
<125°C
Collector Current I
C
(A)
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
1
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
3x10
-1
FRD
1x10
-1
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
00
日本インター株式会社
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
