European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 170 N
35
28,5
5
6
115
80
9
18
M8
92
18
AK
K
K1 G1
K2
G2
A
VWK February 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 170 N, TD 170 N, DT 170 N
Electrical properties
Maximum rated values
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 68°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
v
L
=10V,i
GM
= 1A,di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
∫i
2
dt
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
600 800 1000
1200 1400 1600
1800
+ 100
V
V
V
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltage
non-repetitive peak reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
∫i
2
t-value
current
voltage
350
A
170
A
223
5200
A
4600
A
2
135000 A s
106000 A
2
s
150 A/µs
1000 V/µs
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
Charakteristische Werte
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Characteristic values
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 600 A
v
T
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
t
vj
= t
vj max
r
T
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
I
GT
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
V
GT
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
I
H
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
i
D
, i
R
t
vj
=25°C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs t
gd
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
t
q
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
max.1,65
0,95
1
max. 200
max. 2
max.10
max.0,2
max. 300
max.1,2
max. 50
max. 3
typ.250
3
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
A
mA
µs
µs
kV
Innerer Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften
thermal resistance, junction
to case
Thermal properties
Θ
=180°el,sinus: pro Modul/per module
R
thJC
max.0,085 °C/W
max.0,17
max.0,082
max.0,164
max.0,02
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
R
thCK
DC:
pro Zweig/per arm
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,04 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
1
AlN
6
12
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
f = 50 Hz
typ.800
g
17 mm
5 . 9,81 m/s²
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 170 N
400
0
300
P
TAV
[W]
200
θ
= 30°
θ
60°
90°
180°
120°
130
120
t
C
110
100
[°C]
90
80
70
60
100
50
40
30
0
0
TT 170 N/1
0
θ
θ
= 30°
50
100
60°
90° 120°
150
180°
200
250
I
TAVM
[A]
300
50
100
150
200
I
TAV
[A]
250
300
20
0
TT 170 N/2
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
500
DC
400
P
TAV
[W]
300
θ
= 30°
0
θ
180°
90°
120°
130
θ
t
C
[°C]
100
0
60°
80
200
60
100
40
θ
= 30°
0
TT 170 N/4
60°
90° 120°
200
180°
250
DC
300
350
I
TAVM
[A]
400
0
0
TT 170 N/3
50
100
150
200
250
300
350
I
TAV
[A]
400
20
50
100
150
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
1400
0.03
0.04
0.05
0.06
0.08
0.10
0.12
0.02
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-Load
L-Last
L-Load
2000
0.02
0.03
1600
P
tot
0.04
[W]
0.05
1200
0.06
0.08
800 0.10
0.12
0.15
0.20
400 0.25
0.30
0.40
0.60
R
thCA
[°C/W]
P
tot
1000
[W]
600
0.15
0.20
0.25
0.30
0.40
200 0.50
0.60
0
0
20
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300 400
I
d
[A]
500
0
0
20
40
60
TT 170 N/5
TT 170 N/6
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
400 500
I
d
[A]
600
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 170 N
700
600
0.10
P
tot
[W]
500 0.12
400
0.06 0.05 0.04
0.08
R
thCA
[°C/W]
2000
0.02
0.03
1600
0.04
P
tot
[W]
0.05
1200
0.06
R
thCA
[°C/W]
0.15
0.20
300 0.25
0.30
200 0.40
0.50
0.60
100 0.80
1.00
1.20
0
0
20
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
400
I
RMS
[A]
500
0.08
800 0.10
0.12
0.15
400 0.20
0.25
0.30
0.40
0.50
0
0
20
TT 170 N/8
40
60
TT 170 N/7
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
400
I
RMS
[A]
500
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the
circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
10
4
4,0
I
T(0V)M
[kA]
3,0
a
8
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
Q
r 4
[µAs]
2
200 A
100 A
50 A
20 A
500 A
2,0
b
10
3
8
6
4
1,0
2
0
10
TT 170 N/9
20
40
60 80 100
200
400 600 800 1s
t [ms]
10
2
10
0
2
3
4
5 6 7 8
TT 170 N/10
10
1
2
3
4
5 6 7 8
-di/dt [A/µs]
10
2
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state current per arm I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - t
A
= 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
30
20
v
G
10
[V]
5
a
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
100
60
d
b
c
t
gd
[µs]
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
b
a
2
1
0,5
0,2
0,1
10
20
40 60 100 200 400 600 1
mA
2
4 6
10
A
20
i
G
40 60 100
0,1
10
20
TT 170 N/11
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
TT 170 N/12
A
4
i
G
6
10
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40
80
100 150
________________________________________________________
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
TT 170 N
0,240
0,200
0
Z
thJC
[°C/W]
0,160
0,120
0,080
θ
=
30°
0,240
0,200
Z
thJC 0
[°C/W]
0,160
θ
θ
0,120
0,080
0,040
DC
0
10
-3 2
θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
4 6 8
0,040
60°
90°
120°
180°
0
10
-2
2 3 4
6 8
TT 170 N/13
10
-1
2
3 4
6 8
10
0
2 3 4
6 8
10
1
2 3 4
6 8
10
2
10
-2 2
4 6 8
10
-12
4 6 8
10
0 2
4 68
t [s]
TT 170 N/14
4 6 8
10
2
10
1 2
t [s]
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,0039
0,0008
2
0,0097
0,008
3
0,0291
0,085
4
0,0552
0,54
5
0,0661
2,85
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
