European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 142 N
screwing depth
max. 11
for fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
13
K2
G2
K1
G1
17
23
80
94
23
15
5
AK
K
K1 G1
K2
G2
A
VWK February 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 142 N, TD 142 N, DT 142 N
Electrical properties
Maximum rated values
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
∫i
2
dt
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
600 800 1000
1200 1400
+ 100
230
142
V
V
V
A
A
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
repetitive peak forward off-state
t
vj
= -40°C...t
vj max
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
t
vj
= -40°C...t
vj max
state voltage
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C...t
vj max
RMS on-state current
average on-state current
surge current
∫i
2
t-value
current
voltage
t
c
= 85°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
v
L
=10V,i
GM
=0,6A,di
G
/dt =0,6A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
4800
A
4100
A
2
115000 A s
84000 A
2
s
150 A/µs
1000 V/µs
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Charakteristische Werte
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Characteristic values
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 500 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs,
t
g
= 20 µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
t
vj
=25°C, i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max.1,56
0,9
1,1
max. 150
max.1,4
max.10
max.0,25
max. 200
max.800
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
mA
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
i
D
, i
R
t
gd
t
q
V
ISOL
max. 30
max.3
typ.200
2,5
mA
µs
µs
kV
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Θ
=180°el,sinus: pro Modul/per
module
pro Zweig/per arm
DC:pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
R
thJC
max.0,110 °C/W
max.0,220
max.0,106
max.0,212
max.0,03
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,06 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
1
AlN
6
6
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
f = 50 Hz
typ.310
g
15 mm
5 . 9,81 m/s²
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 142 N
200
180
P
TAV
140
[W]
120
100
80
60
40
20
0
0
TT 142 N/1
180°
0
θ
60°
θ
= 30°
120°
90°
130
0
θ
160
t
C
[°C]
100
80
60
40
20
0
TT 142 N/2
θ
= 30°
50
60°
90°
100
120°
180°
150
200
50
100
150
I
TAV
[A]
200
I
TAVM
[A]
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
300
DC
P
TAV
[W]
200
0
θ
180°
90°
120°
130
θ
t
C
[°C]
100
0
60°
θ
= 30°
100
80
60
40
20
θ
= 30°
0
TT 142 N/4
60°
90° 120°
100
180°
150
DC
200
I
TAVM
[A]
250
0
0
TT 142 N/3
50
100
150
200
I
TAV
[A]
250
50
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
1000
0.06 0.05
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-load
L-Last
L-load
1200
0.06
1000
P
tot
0.08
[W]
800
0.1
600
400
0.12
0.15
0.2
0.05 0.04
R
thCA
[°C/W]
800 0.08
P
tot
[W]
0.10
600 0.12
0.15
400 0.2
0.25
0.3
0.4
200 0.5
0.6
0.8
1.0
1.5
0
0
20
TT 142 N/5
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
d
[A]
400
0.25
0.3
0.4
200 0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
TT 142 N/6
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
d
[A]
400
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 142 N
500
R
thCA
[°C/W]
0.15 0.12
0.1
1200
1000
P
tot
800
[W]
600
400
0.06
0.08
0.1
0.12
0.15
0.2
0.05 0.04
R
thCA
[°C/W]
400
P
tot
0.2
[W]
300 0.25
0.3
200
0.4
0.5
0.6
0.8
100 1.0
1.5
2.0
3.0
0
0
20
TT 142 N/7
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
RMS
[A]
400
0.25
0.3
0.4
200 0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
TT 142 N/8
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
RMS
[A]
400
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the
circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
5
10
4
8
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
I
T(0V)M
[kA]
3
a
4
Q
r 4
[µAs]
2
200 A
100 A
50 A
20 A
500 A
10
3
2
8
6
4
b
1
2
0
10
TT 142 N/9
20
40
60 80 100
200
400 600 800 1s
t [ms]
10
2
10
0
2
3
4
TT 142 N/10
5 6 7 8
10
1
2
3
4
-di/dt [A/µs]
5 6 7 8
10
2
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state per arm current I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - t
A
= 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
20
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
100
60
c
v
G
10
[
V
]
8
6
4
2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0,1
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
t
gd
a
b
20
[µs]
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
a
b
TT 142 N/11
A
4
i
G
6
10
0,1
10
20
TT 142 N/12
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
A
4
i
G
6
10
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
____________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration tg
[ms]
10
1
0,5
____________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
____________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
TT 142 N
0,3
Z
thJC
0,32
[°C/W]
0,2
0
θ
0,24
[°C/W]
Z
thJC
0
θ
0,16
0,1
θ
=
θ
=
30°
30°
60°
90°
120°
180°
0,08
60°
90°
120°
180°
DC
4 6 8
0
10
-2
2 3 4
6 8
10
-1
2
3 4
6 8
10
0
2 3 4
6 8
10
1
2 3 4
6 8
10
2
0
10
-3 2
10
-2 2
4 6 8
10
-12
4 6 8
10
0 2
4 6 8
TT 142 N/13
t [s]
TT 142 N/14
4 6 8 2
10
10
1 2
t [s]
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,0094
0,0014
2
0,0224
0,0253
3
0,0586
0,267
4
0,122
1,68
5
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
