<^£mL-ConJiuctoi ZPioducti,
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212) 227-6005
FAX: (973) 378-8960
Planar epitaxiaux
Epitaxial plmir
Doubles transistors PNP silicium
Dual PNP silicon transistors
* 2N 3350
* 2 N 3351
* 2 N 3352
• Amplification diffSrentielle
Differential amplification
Transistors comptementaires
aux 2N 2642 a 2N 2644
Complementary transistors
of 2N 2642 to 2N 2644
V
CEO
'c
h
21E
(10MA)
-46 V
-30 mA
100 - 300
0,9 min.
0,8 min,
0,6 min.
Bottler F 100
Cast
2N 3350
2N 3351
2N 3352
Dissipation de puissance maximale
MmiiKUH ,
B
h
21E1
h
21E2
*tfl
B?
150
200 l
co
,,CC)(3)(4)
Valeurs limites absolues d'utilisation a t
a
mb=25°C
Absolute ntinffs (limiting vtluttt
•^^^^^^
rWVPVn*
fn*m**r
( Sauf indications contrairos )
iUnliss atarwin sftalitil}
Tension collactaur-bua
Cotlfctor>t>»lf volttgm
Tension
collecteur-emetteur
Calltctor-tmlltn volum
Tension 4metteur-base
fmitur-tiit relttgt
V
CBO
V
CEO
-60
-45
-6
-30
0,3
0,6
V
V
V
mA
W
VEBO
p
c
Courant collecteur
Collector cvrrtrtt
t
Dissipation de puissance
Powir dliitpition
t
Temperature de jonction
Junction ttmptwiun
Temperature de stockage
Storage tmmpertturm
=25«C
._ =.2S»C
1
**
ment (1)
2 4l
*
ment!
<
2
>
P
tot
T^
171
"
1
* <
3
>
2 elements (4)
max
'
0,6
1,2
*i
175
-65
W
°C
°C
min
max.
'stg
+200
\ S«mi-C niiduuon resmw ih« right In thong* (Ml conditions, pramelcr limiM wd pickag* Jlmensiofis \viihmrt nolioe
InrbrmulHin lurnrrwd by NI ScmK'umhKlim it bdMvcil In rw hiilh ucwvato ,iml rdiuhU il irM Itnw of guinf lo pros. However
s
-1
n-iiii 11 HiltM.lnn IS.MIIIKI m> fe^pniuibiliry Kir m> ein<n or niniuiiiiM Jisuivurnl in ill i'>« M Seim-t i
2N335O*
2N3351 *
2N 3 3 5 2 *
Caracteristiques generates a t
am
b = 25°C
General characteristics
is»ut indications conuaires)
[Unlais athaewisa samcifiadl
Caracteristiques 0' appariement
Hitching ctlinctiristid
rfefMMktn - ' • '
rOfBafftlf
%*saa***
fHFf
ffaa^^^^f
"
'
fr
h
2lE1
h
21E2
Sr
de transfer! direct du courant
Static forward current tmntfor ratio balance
Tension differentielle base-6metteur
],.
=.-10^A
V
rp
= -5V
2N3350
2N3361
2N3352
(note T)
0,9
0,3
0,6
;»
ii
i
5
10
20
0,8
mV
1,8
3,2
1
2
4
juV/°C
IQ
= — 1UJIM
v
ce
sv
2N 3350
J
-V
2N3361
BE1 0E2
2N3352
2N 3350
2N3351
2N3352
2N 3350
AV
BE1-
V
B£2
Coefficient de temperature de la tension
Ba»*n.itw voltage differential
l
c
= -10jiA
V
CE
-_5V
-55°C<3t
amb
<+25
s
C
l
c
--10 MA
^'amb
2N33S1
VCE—
5 v
+25°OCt
amb
<+125
e
C 2N3352
Note 1 : h21£1 est le plus petit ties deux hjiE mesures.
The lowest h2i£ malting is taken at h21E1
Caracteristiques statiques pour chaque transistor elementajre
Stitic chtncHritlies tar itch ilim'ntary trtutistar
'E
V
CB
I
E
V
CB
"°
--45V
-o
= ~
4S v
-10
'CBO
-10
juA
nA
Courant risiduel collecteur-baw
collfctofttttf cut-off currmnt
'amb'
150
'
0
Courant residue! emetteur-base
Emittsr-bttt cut-off currant
Tension de claquage collecteur-base
Collfctorbatt brtmkdown voltmga
Tension de claquage collecteur-emetteur
CoHrctor-tmitttr bramkdawn trottaii
Tension de claquage emetteur-baw
Emiliar-batf braakdown voltaga
•c - °
v
EB
- -8V
I
E
- o
l
c
= -lOjaA
'EBO
V
(Bfi)CBO
-2
-60
-45
-
6
100
300
nA
nA
V
V
I
B
l
c
I
C
I
E
l
c
=0
- -10mA
.0
= -lO^A
= -lO^A
^(BRIceS
V
(BR)EBO
Valeur statique du rapport du transfer!
direct du courant
Static forward currant trantfar ratio
VCE • -
5 v
l
c
. -i mA
h
21
E
150
V
CE
= -5 v
*2N 3350
*2N 3351
*2N 3352
Caracteristiques generates a t
am
b = 25°C
General characteristics
Caracteristiques statiques pour chaque transistor elementaire
Stitic cluncttristies for
««*
tlimtntiry trusiitor
Fl ieff
lfi i l
AtfMMMf
jtJ^^g^^Jj^^ F
\
>
- -10mA
.M*
IK*.
V
BE
l».
Trr-
MM.
Ha
-0,9
Tension base-emetteur
Bitumittlr rolttgt
Tension de saturation collecteur-imetteur
Cotttctor-imtttmr smtuntion vofttgt
VCE - -5 v
l
c
I
B
= -10mA
-
-0,5
mA
V
V
C
El
at
0,5
V
Caracteristiques dynamiques
(pour petiu si
g
nau»)
Dynnmic chtnctiristics
/for saill sig
f
- 1 kHz
= —1 mA
h
21e
Rapport da transfert direct du courant
Foewmrd currant trtntffr rmtio
IQ
150
600
VCE —
5 V
f
- 1 kHz
"lie
Impddance d'entree
Input impmdtnef
'c ™ ~'
m
*
V
C£
= -5 V
f
= 1 kHz
l
c
" -1 mA
V
ce
--5V
IQ
= —1 mA
" ~
5 V
- 30 WHz
3,7
20
kfi
Admittance de sortie
Output tdmltttnct
^e
100
MS
Frequence de transition
Trmnsltlon frtquuney
V
CE
*T
60
MHz
f
Capacity de sortie
Output cipfcltmncf
v
CB
- -5 v
I
E
f
V
EB
i
c
=0
= 1 MHz
C
22b
6
pF
Capacity d'entrea
Input cmpicittncf
- -°-
s v
=o
- 1 MHz
= -10 fiA
C
11b
8
pF
f
l
c
Facteur de bruit
Noltt fiiun
VCE • -5 v
R
G
•= 10 kn
B
=15.7 kHz
F
4
dB
京公网安备 11010802033920号
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