2012-08-17
GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) and green GaP-LED (565 nm)
GaAlAs Infrarot Sender (880 nm) und grüne GaP-LED (565 nm)
Version 1.0 (not for new design)
SFH 7222
• SMT package with IR emitter (880 nm) and green
emitter (565 nm)
• Suitable for SMT assembly
• Available on tape and reel
• Emitter and detector can be controlled separately
Features:
• SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und
grünem Sender (565 nm)
• Geeignet für SMT-Bestückung
• Gegurtet lieferbar
• Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Data transmission
• Remote control
• Infrared interface
• Datenübertragung
• Gerätefernsteuerung
• Infrarotschnittstelle
Anwendungen
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
SFH 7222
Package:
Gehäuse:
SMT Multi TOPLED
®
Ordering Code
Bestellnummer
Q65110A2742
2012-08-17
1
Version 1.0 (not for new design)
Maximum Ratings
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
Values
Werte
-40 ... 100
5
650
SFH 7222
Unit
Einheit
°C
V
K/W
Thermal resistance junction - ambient, mounted on R
thJA
PC-board (FR4)
1)
page 15
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei
Montage auf FR4 Platine
1)
Seite 15
IRED
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
10
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
I
F
(DC)
I
FSM
100
2.5
mA
A
P
tot
180
450
mW
K/W
Thermal resistance junction - ambient, mounted on R
thJA
PC-board (FR4)
2)
page 15
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei
Montage auf FR4 Platine
2)
Seite 15
LED
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
10
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
I
F
(DC)
I
FSM
30
0.5
mA
A
P
tot
100
500
mW
K/W
Thermal resistance junction - ambient, mounted on R
thJA
PC-board (FR4)
2)
page 15
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei
Montage auf FR4 Platine
2)
Seite 15
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2
Version 1.0 (not for new design)
Note:
The stated maximum ratings refer to one chip, unless otherwise specified.
Anm:
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip, wenn nicht anders angegeben.
SFH 7222
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
IRED
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA)
Half angle
Halbwinkel
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
λ
peak
880
nm
Symbol
Symbol
Values
Werte
Unit
Einheit
Δλ
80
nm
ϕ
LxW
t
r
, t
f
± 60
0.4 x 0.4
500
°
mm x
mm
ns
C
0
25
pF
V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
V
F
3 (≤ 3.8)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
Φ
e
23
mW
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3
Version 1.0 (not for new design)
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA)
LED
Peak emission wavelength
Max. der spektralen Emission
(I
F
= 10 mA)
Dominant wavelength
Dominantwellenlänge
(I
F
= 10 mA)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 10 mA)
Half angle
Halbwinkel
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 10 mA)
Reverse current
Sperrstrom
λ
peak
565
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.5
SFH 7222
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-2
mV / K
TC
λ
0.25
nm / K
nm
λ
dom
570
nm
Δλ
25
nm
ϕ
LxW
t
r
/ t
f
± 60
0.25 x 0.25
450 / 200
°
mm x
mm
ns
C
0
15
pF
V
F
2 (≤ 2.6)
V
I
R
0.01 (≤ 10)
µA
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Version 1.0 (not for new design)
Parameter
Bezeichnung
Luminous intensity (group JK)
Lichtstärke (Gruppe JK)
(I
F
= 2 mA)
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA)
Temperature coefficient of
λ
peak
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
(I
F
= 100 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(I
F
= 100 mA)
Grouping
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 7222
Note:
Anm.:
SFH 7222
Symbol
Symbol
I
V
Values
Werte
> 0.25
Unit
Einheit
mcd
TC
I
-0.3
%/K
TC
V
-1.4
mV / K
TC
λ
peak
0.3
nm / K
TC
λ
dom
0.07
nm / K
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs,
Ω
= 0.01 sr
I
e, typ
[mW / sr]
48
4
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr.
Gemessen bei einem Raumwinkel von
Ω
= 0.01 sr.
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5
京公网安备 11010802033920号
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