R
½频放大管壳额定的双极型晶½管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5040 FOR LOW FREQUENCY
3DD5040
主要参数
BV
CBO
I
C
V
CE(sat)
t
f
用途
数字、
高清½色电视机
行输出电路
MAIN CHARACTERISTICS
1700
22
3
0.3
V
A
V(max)
μs(max)
封装
Package
TO-3P(H)IS
APPLICATIONS
Horizontal deflection
output for HDTV
1
2 3
产品特性
3DD5040
是
NPN
双极型
高反压大功率晶½管，
制
造中采用的主要工艺技
术有：高压台面工艺技
术、三重扩散技术等,采
用塑料全包封结构。
环保
（RoHS）产品。
FEATURES
3DD5040 is high breakdown
voltage of
NPN
bipolar transistor.
The main process of manufacture:
high voltage mesa type process,
triple diffused process etc.,
adoption of fully plastic packge.
RoHS product.
等效电路
EQUIVALENT CIRCUIT
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
3DD5040-O-A-N-D
印
记
无卤素
Halogen Free
否
NO
封
装
包
装
器件重量
Device
Weight
5.50 g(typ)
Marking
D5040
Package
TO-3P(H)IS
Packaging
泡沫
Foam
印记说明
MARKING
商标
Trademark
型号
Part No.
年月
Year month
举例
For example
“8”－2008，“10”10 月
october
版本：200911E
1/6
R
3DD5040
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25
℃
)
项
目
Parameter
绝对最大额定值
符 号
Symbol
数 值
Value
1700
750
6
22
44
11
75
150
-55~+150
单 ½
Unit
V
V
V
A
A
W
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极直流电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
最高结温
Max. Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature Range
直流
DC
脉冲
Pulse
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
STG
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25
℃
)
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=1500V, I
E
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 A
V
CE
= 5 V, I
C
= 11 A
I
C
=11A, I
B
=2.75A
I
C
=11A, I
B
=2.75A
I
C
=10A,2I
B1
=-I
B2
=5A
f
H
=15.75kHz
V
CE
=10V, I
C
=0.1A
最小值
Min
最大值
Max
单½
Unit
V
V
V
V(BR)
CEO
V(BR)
CBO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
f
t
s
f
t
750
1700
6
1
10
20
5
3
1.3
0.3
3.5
2
60
mA
µA
V
V
µs
µs
MHz
版本：200911E
2/6
京公网安备 11010802033920号
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