R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS730
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson @Vgs=10V）
（
Qg
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
5.5 A
400 V
1.0 Ω
31 nC
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 22pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 22pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS730V-O-V-N-B
JCS730R-O-R-N-B
JCS730R-O-R-N-A
JCS730S-O-S-N-B
JCS730B-O-B-N-B
JCS730C-O-C-N-B
JCS730F-O-F-N-B
印
记
封
IPAK
DPAK
DPAK
TO-263
TO-262
TO-220C
TO-220MF
装
否
否
否
否
否
否
否
无卤素
Halogen Free
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
包
装
器件重量
Device Weight
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
Marking
JCS730V
JCS730R
JCS730R
JCS730S
JCS730B
JCS730C
JCS730F
Package
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
编带
Brede
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
版本：201007A
1/14
R
JCS730
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符
号
JCS730V/R
数
值
JCS730F
Value
JCS730S/B/C
400
5.5
3.5
5.5*
3.5*
单
½
Unit
V
A
A
项
目
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
22
22*
A
V
GSS
±30
V
E
AS
330
mJ
I
AR
5.5
A
E
AR
7.3
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
59
73
38
W
0.48
0.58
0.3
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201007A
2/14
R
JCS730
项
目
符
号
测试条件
Tests conditions
最大 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
Parameter
Symbol
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
400
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
25℃
T
J
V
DS
=400V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=320V,
I
GSSF
V
DS
=0V,
T
C
=125℃
-
0.4
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V,
V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=2.75A
V
DS
= 40V, I
D
=2.75A（note
4）
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
0.83 1.0
Ω
g
fs
-
4.5
-
S
动态特性
Dynamic Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
-
-
-
550 720
85
22
110
29
pF
pF
pF
版本：201007A
3/14
R
JCS730
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=320V ,
I
D
=5.5A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=200V,I
D
=5.5A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
15
40
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
55 120
85 180
50 110
31
4.0
14
39
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
5.5
A
I
SM
-
-
22
A
V
GS
=0V,
I
S
=5.5A
-
-
1.5
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=5.5A
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
-
-
265
2.32
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符
号
最大
Max
JCS730V/R JCS730S/B/C JCS730F
2.05
110
1.71
62.5
3.31
62.5
单
½
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
th(j-c)
Unit
℃/W
℃/W
结到环境的热阻
R
th(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=19mH, I
AS
=5.5A, V
DD
=50V, R
G
=25
Ω,起始结
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25
℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
Notes:
1
：
Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=19mH, I
AS
=5.5A, V
DD
=50V, R
G
=25
Ω,Starting
T
J
=25℃
3
：
I
SD
≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width
≤300μs,Duty
Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
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R
JCS730
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
I
D
[A]
10
I
D
[A]
25
℃
150
℃
1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
1
1
10
0.1
2
4
6
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.05
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
(on ) [
Ω
]
1.00
25
℃
I
DR
[A]
1
0.95
V
GS
=10V
V
GS
=20V
0.90
0.85
150
℃
Note
：
j
=25
℃
T
0.1
0.4
0.80
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.75
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.6
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
12
Gate Charge Characteristics
V
DS
=320V
10
V
DS
=200V
V
GS
Gate Source Voltage[V]
8
V
DS
=80V
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201007A
5/14
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
