Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse
Reflective Interrupter in SMT Package
SFH 9201
Wesentliche Merkmale
• Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm
• IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender
• Si-NPN-Fototransistor: Empfänger
• Tageslichtsperrfilter
• Hoher Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.7 mA
• Geringe Sättigungsspannung
• Sender und Empfänger galvanisch getrennt
Anwendungen
• Positionsmelder
• Endabschalter
• Drehzahlüberwachung, -regelung
• Bewegungssensor
Typ
Type
SFH 9201
SFH 9201-1/2
SFH 9201-2/3
SFH 9201-3/4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5038
Q62702-P5055
Q62702-P5056
Q62702-P5057
Features
• Optimal operating distance 1 mm to 5 mm
• IR-GaAs-emitter
• Silicon NPN phototransistor detector
• Daylight filter against undesired light effects
• High collector-emitter current typ. 0.7 mA
• Low saturation voltage
• Emitter and detector electrically isolated
Applications
• Position reporting
• End position switch
• Speed monitoring and regulating
• Motion transmitter
I
CE
I
F
= 10 mA,
V
CE
= 5 V, d = 1 mm
mA
0.25 … 2.00
0.25 … 0.80
0.40 … 1.25
0.63 … 2.00
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9201
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Sender
(GaAs-Diode)
Emitter
(GaAs diode)
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Verlustleistung
Power dissipation
Empfänger
(Si-Fototransistor)
Detector
(silicon phototransistor)
Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Continuous collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (
t
≤
2 min)
Collector-emitter voltage, (
t
≤
2 min)
Emitter-Kollektor-Sperrspannung
Emitter-collector voltage
Kollektorstrom
Collector current
Verlustleistung
Total power dissipation
Reflexlichtschranke
Light Reflection Switch
Lagertemperatur
Storage temperature range
Umgebungstemperatur
Ambient temperature range
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge
Umweltbedingungen / Environment conditions
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
V
R
I
F
P
tot
5
50
80
V
mA
mW
V
CE
V
CE
V
EC
I
C
P
tot
16
30
7
10
100
V
mA
mW
T
stg
T
A
ESD
– 40 … + 85
– 40 … + 85
2
°C
KV
3 K3 acc. to EN 60721-3-3 (IEC 721-3-3)
2000-01-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9201
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Sender
(IR-GaAs-Diode)
Emitter
(IR-GaAs diode)
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Wärmewiderstand
1)
Thermal resistance
1)
Empfänger
(Si-Fototransistor)
Detector
(silicon phototransistor)
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 5 V,
f
= 1 MHz
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter leakage current
V
CE
= 20 V
Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit)
Photocurrent (outside light density)
V
CE
= 5 V,
E
V
= 1000 Lx
Wärmewiderstand
1)
Thermal resistance
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
V
F
1.25 (≤ 1.65)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
C
O
25
pF
R
thJA
400
K/W
C
CE
10
pF
I
CEO
3
(≤
200)
nA
I
P
3.5
mA
R
thJA
400
K/W
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9201
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Reflexlichtschranke
Light Reflection Switch
Kollektor-Emitterstrom
Collector-emitter current
Kodak neutral white test card, 90% Reflexion
I
F
= 10 mA;
V
CE
= 5 V;
d
= 1 mm
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter-saturation voltage
Kodak neutral white test card, 90% Reflexion
I
F
= 10 mA;
d
= 1 mm;
I
C
= 85
µA
1)
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
I
CE min.
I
CE typ.
0.25
0.70
mA
mA
V
CE sat
0.15 (≤ 0.6)
V
Montage auf PC-Board mit > 5 mm
2
Padgröβe
Mounting on pcb with > 5 mm
2
pad size
d
Reflector
with 90% reflexion
(Kodak neutral white
test card)
OHM02257
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9201
Schaltzeiten
(
T
A
= 25
°C,
V
CC
= 5 V,
I
C
= 1 mA
1)
,
R
L
= 1 kΩ)
Switching Times
R
L
Ι
F
Ι
C
V
CC
Output
OHM02258
Bezeichnung
Parameter
Einschaltzeit
Turn-on time
Anstiegzeit
Rise time
Ausschaltzeit
Turn-off time
Abfallzeit
Fall time
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
65
50
55
50
Einheit
Unit
µs
µs
µs
µs
t
ein
t
on
t
r
t
aus
t
off
t
f
I
C
eingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom
Bauteil (
d
)
I
C
as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between
reflector and component (
d
)
1)
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
