BAS21W
BAS21W
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
Version 2018-12-05
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified
1
)
1
±0.1
1.25
±0.1
I
FAV
= 200 mA
V
F1
< 1.0 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 250 V
I
FSM1
= 2.5 A
t
rr
< 50 ns
SOT-323
2
±0.1
0.3
3
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
Type
Code
1
2
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
2.1
±0.1
RoHS
1.3
Dimensions - Maße [mm]
Case material
Solder & assembly conditions
BAS21W/-Q
3
EL
V
Pb
EE
WE
Single
Diode
1
2
Type
Code
F4
1 = A 2 = n. c. 3 = C
Maximum ratings
2
)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum forward current
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
DC
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
V
R
T
j/S
Grenzwerte
2
)
250 mW
3
)
200 mA
3
)
625 mA
3
)
0.5 A
2.5 A
250 V
200 V
-55...+150°C
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C and per diode, unless otherwise specified – T
A
= 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BAS21W
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
Leakage current
Sperrstrom
1
)
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
I
F
=
100 mA
200 mA
200 V
V
F
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte
< 1.0 V
< 1.25 V
< 100 nA
< 100 µA
< 5 pF
< 50 ns
400 K/W
2
)
V
R
=
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
2
T
j
= 25°C
I
F
10
-4
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
2
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal
Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
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