Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
N
Vorläufige Daten
Preliminary data
2000
2200
2400
2300
2500
2700
1700
21.500
18.000
2.311
1.620
V
V
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= 90 °C
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
V
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
2100
V
V
V
A
A
A
A
A²s*10
3
A²s*10
3
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
,
T
vj
= T
vj max
,
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
i
F
=
i
F
=
4 kA
700 A
v
F
v
F
V
(TO)
r
T
max.
max.
1,8
0,98
0,83
0,20
V
V
V
mΩ
T
vj
= T
vj max
Durchlaßkennlinie
on-state voltage
A=
B=
C=
D=
T
vj
= 25 °C
6,4014E-01
1,2359E-04
-1,0606E-02
1,2090E-02
i
R
7,2964E-01
8,9772E-06
5,9894E-03
8,4835E-03
max.
60
mA
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
Ln
(
i
T
+
1)
+
D
⋅
i
T
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
beidseitig / two-sided,Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJK
max.
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
-40...+150
-40...+150
0,0035
0,0070
160
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0245
0,0223
0,0410
0,0388
0,0540
0,0514
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
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BIP AM
A20/00
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
Vorläufige Daten
Preliminary data
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
F
G
12...24
typ.
540
32
C
50
kN
g
mm
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
D 1709 N 20...24
N
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
0,00114
0,00146
2
0,0025
0,00563
3
0,0031
0,0609
4
0,00761
0,239
5
0,00795
1,24
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,00111
0,00144
0,00251
0,00547
0,00331
0,0611
0,00892
0,276
0,023
4,3
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,00118
0,00147
0,00269
0,00613
0,00883
0,134
0,00329
0,741
0,0358
8,81
τ
n
[s]
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
∑
n
max
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
5000
T
vj
= 25 °C
4000
T
vj
= T
vj max
3000
i
F
[A]
2000
1000
0
0,5
1
1,5
2
2,5
V
F
[V]
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting on-state characteristics i
F
= f(v
T
)
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Z.Nr.: 2
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