BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q
Hohe Linearität
q
TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieβharz, mit Basisanschluβ
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgeräte
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
BP 103
BP 103-2
BP 103-3
BP 103-4
BP 103-5
1)
1)
1)
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q
High linearity
q
TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P75
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
Q 62702-P781
Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
211
10.95
fet06017
BP 103
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature,
≥
2 mm distance
from case bottom
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature,
≥
2 mm distance
from case bottom
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
100
200
7
150
500
V
mA
mA
V
mW
K/W
Semiconductor Group
212
BP 103
Kennwerte
(T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light a
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
420 ... 1130
Einheit
Unit
nm
nm
A
L× B
L
×
W
H
0.12
0.5
×
0.5
0.2 ... 0.8
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
55
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
0.9
2.7
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
8
11
19
5 (≤ 100)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
213
BP 103
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix.
Normlicht/standard light A
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
Einheit
Unit
I
PCE
80 ... 160 125 ... 250 200 ... 400
≥
320
µA
I
PCE
t
r
,
t
f
0.38
5
0.6
7
0.95
9
1.4
12
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
150
mV
I
PCE
I
PCB
140
210
340
530
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
214
BP 103
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
/I
CEO25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Semiconductor Group
215
京公网安备 11010802033920号
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