Bridge Diode
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
S1WB(A)
□
/60B
800V 1A
特長
• 小型 D
I
P パッケージ
• 高
I
FSM
• 耐湿性に優れ高信頼性
■外観図 OUTLINE
Package：1W
10.5
④
品名略号
Type No.
①
④−
①＋
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
S1WB
2076
③∼
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
11
3.1
②∼
③
級表示
（例）
Class
Feature
• Small-D
I
P
• Large
I
FSM
• High-Reliability
Package：1W
10.5
④
品名略号
Type No.
①
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
④−
①＋
S1WB
6043
③
②
6.5
③∼
②∼
級表示
（例）
Class
（例）
ロッ
ト記号
Date code
3.1
4.6
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
）
S1WB 60B
（A）
60
単½
Unit
℃
℃
600
V
A
50
16
A
A
2
s
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
品 名
Type No.
S1WB
（A）
□
20
60
80
−40∼150
150
200
600
800
1
30
4.5
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta =25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta = 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子½たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj=25℃，
per
diode
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
）
V
μA
℃/W
V
F
I
R
θ
jl
θ
ja
I
F =
0.5A,
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM, パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
MAX
MAX
MAX
1.0
10
10
65
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
24
（J534）
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
