Ordering number : ENA0959A
MCH6337
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
MCH6337
Features
•
•
•
P-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
•
•
Low ON-resistance
1.8V drive
Protection diode in
Ultrahigh-speed switching
Halogen free compliance
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
PW≤10μs, duty cycle≤1%
When mounted on ceramic substrate (1200mm
×0.8mm)
2
Conditions
Ratings
--20
±10
--4.5
--18
1.5
150
-
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7022A-009
2.0
0.15
Product & Package Information
• Package
: MCPH6
• JEITA, JEDEC
: SC-88, SC-70-6, SOT-363
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
MCH6337-TL-E
MCH6337-TL-H
0 t o 0.02
0.25
6
5
4
Packing Type : TL
Marking
LOT No.
LOT No.
YL
2.1
1.6
0.25
1
0.65
2
3
0.3
TL
Electrical Connection
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : MCPH6
4
1, 2, 5, 6
0.07
0.85
1
2
3
3
6
5
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM/13008PE TIIM TC-00001170 No. A0959-1/7
MCH6337
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
|
yfs
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
IS=--4.5A, VGS=0V
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--4.5A
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, f=1MHz
Conditions
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--3A
ID=--3A, VGS=--4.5V
ID=--1.5A, VGS=--2.5V
ID=--0.5A, VGS=--1.8V
Ratings
min
--20
--1
±10
--0.4
3.5
5.9
37
53
85
670
130
94
8.4
45
69
63
7.3
1.3
2.1
--0.82
--1.2
49
75
130
-
-1.3
typ
max
Unit
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4.5V
VIN
ID= --3A
RL=3.33Ω
VDD= --10V
D
PW=10μs
D.C.≤1%
VOUT
G
MCH6337
P.G
50Ω
S
Ordering Information
Device
MCH6337-TL-E
MCH6337-TL-H
Package
MCPH6
MCPH6
Shipping
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
No. A0959-2/7
MCH6337
--4.5
ID -- VDS
--4.5V
--7
ID -- VGS
VDS= --10V
--6.0
V
V
--2.5
--4.0
--3.5
--1.8V
--6
Drain Current, ID -- A
--8.0V
Drain Current, ID -- A
--5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--4
--3
Ta=7
5
°
C
0
--0.5
--1.0
VGS= --1.5V
--2
--1
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
25
°
C
--1.5
--25
°
C
--2.0
--2.5
IT12999
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
200
IT12998
140
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
Ta=25
°
C
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) -- mΩ
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) -- mΩ
180
160
140
120
100
80
120
100
= --0.
V, I D
8
= --1.
V GS
5A
ID= --0.5A
--1.5A
--3.0A
80
60
60
40
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
40
5A
= --1.
V, I D
5
= --2.
V GS
--3.0A
V, I D=
--4.5
V GS=
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
|
y
fs
|
-- ID
IT13000
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
Ambient Temperature, Ta --
°
C
IT13001
IS -- VSD
VGS=0V
Forward Transfer Admittance,
|
y
fs
|
-- S
VDS= --10V
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
--0.01
5
°
C
--2
=
Ta
°
C
75
°
C
25
Source Current, IS -- A
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
Drain Current, ID -- A
1000
7
5
5 7 --10
IT13002
3
2
0
--0.2
--0.4
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT13003
SW Time -- ID
VDD= --10V
VGS= --4.5V
Ciss, Coss, Crss -- pF
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Switching Time, SW Time -- ns
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
IT13004
1000
7
5
3
2
Ciss
td(off)
tf
tr
td(on)
Coss
100
7
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Crss
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13005
No. A0959-3/7
MCH6337
--4.5
--4.0
--3.5
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --4.5A
Drain Current, ID -- A
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
PW
≤
10μs
10
0
μ
s
ID= --4.5A
1m
10
s
DC
ms
op
10
era
0
tio
ms
n(
Ta
=2
5
°
C)
Operation in this area
is limited by RDS(on).
IDP= --18A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT13006
--0.01
--0.01
Ta=25
°
C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (1200mm
2
×0.8mm)
2
3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2 3
Total Gate Charge, Qg -- nC
1.6
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
2
×0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13007
Allowable Power Dissipation, PD -- W
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta --
°
C
IT12997
No. A0959-4/7
MCH6337
Taping Specification
MCH6337-TL-E, MCH6337-TL-H
No. A0959-5/7
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
