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高輝度½色 LED
CL-432S シリーズ
High Brightness White LED CL-432S Series
●絶対最大定格/Absolute
Maximum Rating
※1
Series
CL-432S-WK
CL-432S-WL
CL-432S-WN
(Ta 25℃)
Top
(℃)
Tst
(℃)
Pd
(mW)
150
150
114
I
F
(mA)
30
30
30
I
FP
※2
(mA)
100
100
100
V
R
(V)
5
5
5
−20∼＋80 −30∼＋85
−20∼＋80 −30∼＋85
−20∼＋80 −30∼＋85
※1 1素子½たりの値です。
/The values are based on 1-die performance.
※2 I
FP
の条件はduty1/10、
パルス巾0.1msecです。
/Condition for I
FP
is pulse of 1/10 duty and 0.1msec width.
2.8(L)×1.0(W)×0.6
（H）
mm
●電気的光学的特性/Electro-optical
Characteristics
● 薄型バックライト用のLEDです。
推奨導光
板は0.6mm厚です。
● LED for thin-shaped backlight. Recommended
thickness of optical waveguide is 0.6 mm
Parameter
Symbol
Conditions
MIN
TYP
(Ta 25℃)
MAX
Unit
CL-432S-WK
順電圧/
CL-432S-WL
Forward Voltage
※1
CL-432S-WN
逆電流/Reverse
Current
光度/
Luminous Intensity
※2
※1
ー
V
F
I
R
I
V
I
F
=20mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
ー
ー
ー
720
860
1000
a
3.75
3.6
3.2
ー
900
1200
1400
0.28
0.28
0.34
0.34
4.2
4.2
3.6
100
ー
ー
ー
0.236
0.301
0.386
0.321
mcd
μA
V
CL-432S-WK
CL-432S-WL
CL-432S-WN
x(±0.02) y(±0.02)
色度座標/Chromaticity
coordinates
※3
x, y
I
F
=20mA
b
c
c
※1 1素子½たりの値です。
/The values are based on 1-die performance.
※2 NIST規格に準拠、
各素子同時点灯の値です。
Compliant
with NIST. The values are based on the condition that each die lights simultaneously.
※3 色度座標は、 b、 dに囲まれた範囲です。
a、 c、
/Chromaticity coodinates is surrounded with a,b,c,d
●外½寸法図/Outline
drawing
推奨はんだ付けパターン
The following soldering patterns are recommended for
枠
/Reflector
0.6
LED素子
/LED die
0.3
0.6
0.6
0.3
(1)
reflow-soldering:
リフローはんだ用
For reflow soldering
0.95
1.85
2-R0.3
2-R0.2
(2)
(3)
(4)
部品中心
/Center
(0.3)
(1.4)
2.8
はんだ付け電極
/Soldering terminal
0.85
(4)
(3)
(2)
(1)
0.5
1
0.6
0.3
0.6
0.3
0.6
0.3
0.6
※外½寸法図は、
<WK> <WL> <WN>とも共通となります。
※The dimensional outline drawings are common in <WK>, <WL>, and <WN>.
単½/Unit : mm
■ 諸特性／
Characteristics
200
100
50
＊〈WL〉
および
〈WN〉
につきましてはカタログ不掲載のため、
詳細につきましてはお問い合わせください。
＊ <WL> and <WN> are not listed in this catalog. Please consult with us for details.
I
F
-V
F
特性
I
F
-V
F
Characteristics
4.0
3.8
V
F-
T
a
特性
V
F
-T
a
Characteristics
1000
I
V-
I
F
特性
I
V
-I
F
Characteristics
I
V
(mcd)
I
F
(mA)
100
20
3.6
V
F
(
V
)
I
F
=20mA
3.4
3.2
3.0
10
5
10
1
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-20
0
20
V
F
(
V
)
I
V-
T
a
特性
I
V
-T
a
Characteristics
200
T a (
°
C)
40
60
80
100
1
0.5
1
5
10
50
I F(
mA
)
I
F
max
-
T
a
特性
I
F
max-Ta Characteristics
30
25
指向特性
Directive Characteristics
30°
20°
10°
120
0°
10°
20°
30°
I
V
(in%)
I
F
MAX(mA)
100
100
20
15
10
5
40°
80
60
40
20
40°
50°
60°
70°
80°
50°
60°
70°
80°
50
20
-20
0
20
T a(
°
C)
40
60
80
100
0
-20
90°
0
20
T a (
°
C)
40
60
80
100
0
90°
0.85
樹脂
/Resin
0.4
極性/Polarity
39
MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
