PT7M8220B
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High Current LDO Regulator
Features
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•
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•
•
Output Current 700mA or more
Dropout Voltage: 150mV@300mA
Operating Voltage Range: 1.8V-5.5V
Output Voltage Range: 1.2V to 3.3V (100 mV Step)
Low Power Consumption: 80µA
Standby Current: 0.1µA
High Ripple Rejection: 70dB@1kHz
Output Current-Limit Protection
Thermal Shutdown Protection
Operating Temperature Range: -40℃~+85℃
Low ESR Capacitor Compatible: Ceramic Capacitor
Lead Free and Green Package: SOT23-5L, SOT89-
3L, SOT89-5L and UDFN-6L 1.8x2.0
Description
The PT7M8220B series are highly accurate, low dropout
voltage regulators with high current, low noise, high
ripple rejection and low current consumption.
The PT7M8220B includes a reference voltage source, an
error amplifier, a driver transistor, a current limit
protection, a thermal protection and an internal phase
compensator.
The output voltage for the regulator is set by factory
trimming within a range of 1.2V to 3.3V in 100mV step
including 2.85V. The PT7M8220B series are stable with
low ESR ceramic capacitors.
Applications
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•
Mobile phones (PDC, GSM, CDMA, IMT2000 etc.)
Cordless phones and radio communication
Digital still cameras and video cameras
PDAs
MP3 players
Portable devices
Pin Assignment
VIN
GND
EN
1
2
3
SOT23-5L
GND
VIN
VOUT
1
2
3
SOT89-3L
Pin Description
Pin No for Pin No for
SOT23-5L SOT89-5L
1
2
3
4
5
4
2
1
3
5
EN
NC
VIN
1
2
3
4
NC
5
VOUT
EN
GND
NC
1
2
3
SOT89-5L
6
NC
4
VIN
5
VOUT
5 VOUT
4 GND
UDFN-6L 1.8x2
Pin No for
SOT89-3L
2
1
-
-
3
Pin No for
UDFN-6L
3
4
1
2, 6
5
I/O
I
P
I
-
O
Name
VIN
GND
EN
NC
VOUT
Descriptions
Regulator Supply Input. Supply voltage can range from 1.8V
to 5.5V. Bypass with a
1µF
ceramic capacitor (X5R/X7R) to
GND.
Ground.
ON/OFF Control of Regulator. High active. No any pull-
up/pull-down resistors internal.
No Connection.
Output of Regulator. Bypass with a
1µF
ceramic capacitor
(X5R/X7R) to GND.
PT0371S
1
12/20/10
PT7M8220B
High Current LDO Regulator
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Maximum Ratings
Storage Temperature………………………………….. -55℃ to +125℃
Ambient Temperature with Power Applied......................-40℃ to +85℃
Input Voltage………………………………………….……..……+6.0V
Output Voltage …………………………………….....-0.3 to V
CC
+0.3V
EN pin Voltage…………………………………………………… +6.0V
DC Input/Output Current ………………………………………..700mA
Power Dissipation……………………………………….SOT23/400mW
SOT89/550mW
UDFN/600mW
Note:
Stresses greater than those listed under MAXIMUM
RATINGS may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sec-
tions of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
Recommended Operating Conditions
Symbol
V
CC
T
A
Parameter
Operating Voltage
Operating temperature
Min.
1.8
-40
Typ.
-
25
Max.
5.5
85
Unit
V
°C
Electrical Characteristics
(T
A
=25℃)
Parameter
Output Voltage
Maximum Output
Current
Dropout Voltage
Supply Current
Standby Current
Line Regulation
Load Regulation
Input Voltage
Output Voltage
Temperature
Characteristic
Ripple Rejection
Symbol
V
OUT(E) *2
I
OUTMAX
Conditions
V
IN
=V
OUT(S) *1
+1.0V, I
OUT
=30mA
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, V
OUT(E)
>=1.6V
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, V
OUT(E)
<=1.5V
1.2V≤V
OUT(S)
≤1.4V
1.5V≤V
OUT(S)
≤1.9V
I
OUT
=150mV
2.0V≤V
OUT(S)
≤2.4V
@ 300mA
2.5V≤V
OUT(S)
≤2.9V
3.0V≤V
OUT(S)
≤3.3V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, no load
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
V
OUT(S)
+1.0V≤V
IN
≤5.5V
I
OUT
=30mA
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V,
1.0mA≤I
OUT
≤300mA
-
I
OUT
=30mA
-40℃≤T
A
≤85℃
V
IN
=[V
OUT(S)
+1.0]V
DC
+1Vp-p AC
I
OUT
=30mA, f=1kHz
V
OUT
= V
OUT(S)
*0.9
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, EN=ON
-
Min.
V
OUT(S)
*0.98
700
500
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
Typ.
V
OUT(S)
-
-
0.30
0.27
0.24
0.18
0.15
Vdif
*3
I
SS
I
SB
∆V
OUT
/
∆V
IN
*V
OUT
∆V
OUT2
V
IN
∆V
OUT
/
∆Topr*V
OUT
PSRR
80
0.1
0.05
-
-
+/-100
70
Max.
V
OUT(S)
*1.02
-
-
0.45
0.41
0.36
0.27
0.23
100
1
0.2
0.6
5.5
-
-
Unit
V
mA
V
µA
µA
%/V
mV
V
ppm/℃
dB
mA
mA
℃
Current Limit
I
LIM
700
900
-
-
-
Short-Circuit Limit
I
SHORT
150
-
170
-
Thermal Shutdown
TSD
Thermal Shutdown
-
40
-
∆TSD
-
Hysteresis
EN “High”
V
ENH
-
1.5
-
-
Voltage
EN “Low” Voltage
V
ENL
-
-
-
0.3
EN “High” Current
I
ENH
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
-0.10
-
0.10
EN “Low” Current
I
ENL
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
-0.10
-
0.10
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
Output Discharge
Rdis
-
1
-
Resistance
EN=Low
Note:
*1: V
OUT(S)
=Specified output voltage.
*2: V
OUT(E)
=Effective output voltage.
(I.e. the output voltage when "V
OUT(S)
+1.0V" is provided at the VIN pin while maintaining a certain I
OUT
value).
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2
V
µA
k
Ω
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PT7M8220B
High Current LDO Regulator
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*3: Vdif={V
IN1(*5)
-V
OUT1(*4)
}.
*4: V
OUT1
=A voltage equal to 98% of the output voltage whenever an amply stabilized I
OUT
{V
OUT(S)
+1.0V} is input.
*5: V
IN1
=The input voltage when V
OUT1
appears as input voltage is gradually decreased.
*6: Unless otherwise stated, V
IN
=V
OUT(S)
+ 1.0V
Application Circuit
PT7M8220B
Power
supply
C
IN
VIN
VOUT
C
OUT
GND
LOAD
EN
Logic
Input
Typical Performance and Characteristics
1. Output Voltage vs. Output Current
PT7M8220B (1.2V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.30
1.26
Vo (V)
Vo (V)
1.22
1.18
1.14
1.10
0
200
400
600
800
1000
Io (mA)
Vin=2.5V
Vin=4.5V
Vin=5.5V
PT7M8220B (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
3.50
3.44
3.38
3.32
3.26
3.20
0
200
400
600
800
1000
Io (mA)
Vin=4.5V
Vin=5.5V
PT0371S
3
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High Current LDO Regulator
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2. Output Voltage vs. Input Voltage
PT7M8220B (1.2V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
2.0
4.0
PT7M8220B (3.3V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
Vo (V)
Vo (V)
3.0
1.0
0mA
30mA
100mA
2.0
0mA
30mA
100mA
0.5
1.0
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
3. Supply Current vs. Input Voltage
PT7M8220B (1.2V)
100
80
Iss (µA)
PT7M8220B (3.3V)
120
100
80
Iss (µA)
60
40
20
0
60
40
20
0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
PT0371S
4
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High Current LDO Regulator
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4. Dropout Voltage vs. Output Current
PT7M8220B (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
300
-40
℃
25
℃
85
℃
5. Line Transient Response
PT7M8220B (3.3V)
Cin=Cout=1µF(Ceramics), Iout=100mA, tr=tf=5µs
Time (100µs/Div)
Vdif (mV)
200
100
0
0
100
200
Io (mA)
300
400
6. Output Voltage vs. Ambient Temperature
PT7M8220B (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
2.0
5
PT7M8220B (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
Vo (V)
Vo (V)
-50
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
4
1.0
3
0.5
2
0.0
1
-50
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
PT0371S
5
12/20/10
RF/Wirelessly
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
