Ordering number : EN7488A
50A02MH
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
50A02MH
Applications
•
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
Low-Frequency General-Purpose
Amplifier Applications
Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor drive, muting circuit
Features
•
•
•
Large current capacity
Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=210m
Ω
[IC=0.5A, IB=50mA]
Small ON-resistance (Ron)
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
When mounted on ceramic substrate (600mm
×0.8mm)
2
Conditions
Ratings
--50
--50
-
-5
--500
--1.0
600
150
-
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7019A-004
50A02MH-TL-E
Product & Package Information
• Package
: MCPH3
• JEITA, JEDEC
: SC-70, SOT-323
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
0.25
2.0
3
0.15
Packing Type : TL
0 to 0.02
TL
Marking
2.1
1.6
AM
LOT No.
LOT No.
0.25
1
0.65
2
0.3
Electrical Connection
3
0.85
0.07
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : MCPH3
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
71112 TKIM/O3103 TSIM TA-100701 No.7488-1/7
50A02MH
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB= --40V, IE=0A
VEB= --4V, IC=0A
VCE= --2V, IC= --10mA
VCE= --10V, IC= --50mA
VCB= --10V, f=1MHz
IC= --100mA, IB= --10mA
IC= --100mA, IB= --10mA
IC= --10μA, IE=0A
IC= --1mA, RBE=∞
IE= --10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
--50
--50
--5
30
170
30
200
690
3.8
--60
--0.9
-
-120
--1.2
Ratings
min
typ
max
--100
-
-100
500
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
nA
nA
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.≤1%
INPUT
IB1
OUTPUT
IB2
VR
50Ω
RB
RL
+
470μF
VCC= --25V
+
220μF
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --200mA
Ordering Information
Device
50A02MH-TL-E
Package
MCPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
No.7488-2/7
50A02MH
--500
IC -- VCE
--40
m
--450
--
A
A
mA
0m
--25m
--20
3
--600
IC -- VBE
VCE= --2V
--15m
A
--10m
A
--500
Collector Current, IC -- mA
--350
--300
--250
--200
--150
--100
--50
0
0
--5mA
--2mA
Collector Current, IC -- mA
--50m
A
--400
A
--400
--300
--500μA
--200μA
--200
--100
IB=0
--100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT05119
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
1000
7
5
IT05118
3
hFE -- IC
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
VCE(sat) -- IC
IC / IB=10
VCE= --2V
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
2
DC Current Gain, hFE
3
2
Ta=75°C
25
°C
--25
°
C
--100
7
5
=7
Ta
100
7
5
3
2
C
25
°
--2
3
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
--1000
5 7--1000
IT05120
--10
--1.0
2
3
5
7 --10
2
3
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
C
5
°
--1mA
C
5
°
5
7 --100
2
3
5
7
Collector Current, IC -- mA
3
IT05410
VCE(sat) -- IC
IC / IB=20
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
VCE(sat) -- IC
IC / IB=50
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
7
5
3
2
2
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
--1.0
--100
7
5
3
2
7
Ta=
5
°
C
5
°
C
--2
25
°
C
75
°
C
Ta=
°
C
--25
25
°
C
--10
7
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
2
5 7--1000
IT05123
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
10
5 7--1000
IT05124
VBE(sat) -- IC
IC / IB=20
Cob -- VCB
f=1MHz
Base-to-Emitter
Saturation Voltage, VBE(sat) -- V
--1.0
Output Capacitance, Cob -- pF
7
5
Ta= --25
°
C
7
75
°
C
25
°
C
5
3
2
3
2
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
5 7--1000
IT05125
1.0
--1.0
2
3
5
7
--10
2
3
5
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
--100
IT05122
7
No.7488-3/7
50A02MH
1000
f T -- IC
VCE= --10V
Gain-Bandwidth Product, f T -- MHz
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Ron -- IB
f=1MHz
1kΩ
IN
1kΩ
IB
OUT
7
5
3
2
ON Resistance, Ron --
Ω
100
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
700
5 7--1000
IT05121
0.1
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
PC -- Ta
Base Current, IB -- mA
--10
IT06093
7
Collector Dissipation, PC -- mW
600
M
ou
500
nt
ed
on
ac
400
er
am
ic
bo
300
ar
d(
60
0m
200
m
2
✕
0.
8m
m
100
0
0
20
40
60
80
100
120
)
140
160
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT05046
No.7488-4/7
50A02MH
Embossed Taping Specification
50A02MH-TL-E
No.7488-5/7
京公网安备 11010802033920号
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