BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
SMD Small Signal Diode Arrays
SMD Kleinsignal-Dioden-Arrays
Version 2019-11-22
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
0.9
±0.1
4
±0.1
±0.1
I
FAV
= 150 mA
V
F1
< 0.715 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 75 V
I
FSM1
= 2 A
t
rr
< 4 ns
SOT-363
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles Schalten,
Gleichrichten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Besonderheiten
Sehr niedriges t
rr
, C
j
und I
R
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
1.25
2.1
Type
Code
1
2
3
Features
Very low t
rr
, C
j
and I
R
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
RoHS
0.3
Dimensions - Maße [mm]
260°C/10s
MSL = 1
BAS16DW/-AQ
6
5
4
EL
V
Pb
EE
WE
BAV70DW
6
5
4
3
Single
Diodes
1
2
3
Type
Code
KW
2x2
Common
Cathode
1
2
3
Type
Code
A4
1, 2, 3 = A 4, 5, 6 = C
BAV756DW
2x2
Common
Cathode/
Anode
6
5
4
1 = A1, 2 = A2, 3 = C3/C4
4 = A3, 5 = A4, 6 = C1/C2
MMBD4448SDW
Type
Code
B7
4 in
Bridge
Config-
uration
6
5
4
1
2
3
1
2
3
Type
Code
KB
1 = A1, 2 = C2, 3 = A2/A3
4 = C3, 5 = A4, 6 = C1/C4
Maximum ratings
2
)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum average forward current – Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1 = A1, 2 = C1, 3 = AC2
4 = A2, 5 = C2, 6 = AC1
Grenzwerte
2
)
P
tot
I
FAV
I
FRM
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
MMBD4448SDW, BAS16DW/-AQ
BAV756DW
BAV70DW
I
FSM
V
RRM
T
j/S
200 mW
3
)
150 mA
3
)
300 mA
3
)
0.5 A
2A
75 V
90 V
100 V
-55…+150°C
Junction/ Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C and per diode, unless otherwise specified – T
A
= 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW
Characteristics
BAS16DW/
-AQ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
1 mA
5 mA
10 mA
I
F
=
50 mA
100 mA
150 mA
V
R
=
20
25
75
80
V
V
V
V
< 715 mV
–
< 855 mV
< 1.0 V
–
< 1.25 V
< 30 nA
–
< 1.0 µA
–
< 30 µA
< 50 µA
–
Kennwerte
BAV70DW MMBD4448SDW
BAV756DW
< 715 mV
–
< 855 mV
< 1.0 V
–
< 1.25 V
–
< 30 nA
–
< 0.5 µA
–
< 30 µA
< 100 µA
typ. 2 pF
2
)
< 4 ns
2
)
< 400 K/W
3
)
–
620 ... 720 mV
< 855 mV
–
< 1.0 V
< 1.25 V
< 25 nA
–
–
< 100 nA
< 30 µA
< 50 µA
–
T
j
= 25°C
V
F
Leakage current
Sperrstrom
1
)
T
j
= 25°C
I
R
T
j
= 150°C
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
V
R
=
25 V
75 V
80 V
I
R
C
T
t
rr
R
thA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
3
T
j
= 25°C
I
F
10
-4
Power dissipation versus ambient temperature )
3
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
3
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid per diode – Gültig pro Diode
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal
Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
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