ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ
■回路図
CIRCUIT
50Ａ Ａvg 800 Ｖolts
■外½寸法図
OUTLINE DRAWING
PGH50N8
Dimension:［mm½
総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor
■最大定格
Maximum Rating
項 目
Parameter
平均出力電流
Average Rectified Output Current
記号
Symbol
Io
(AV)
条件
Conditions
T
C
=125℃（電圧印加なし）
三相全波整流
Non-Biased for Thyristor
3-Phase Full
T
C
=108℃（電圧印加あり）
Wave Rectified
Biased for Thyristor
125½150℃は½½ﾘ½½ﾀ部に順阻止電圧を
印加しない事
Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor
定格値
Max. Rated Value
50
A
50
-40
½
+150
-40
½
+125
端子－ベース間，AC
1
分間
Terminal to Base, AC 1min.
½½ﾏﾙ½ﾝﾊﾟ½ﾝﾄﾞ塗布
Greased
2500
Ｍ５
Ｍ５
－
2.4
½
2.8
2.4
½
2.8
－
Ｎ・½
℃
℃
V
単
½
Unit
動½接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
主端子部
Mounting Torque
Terminal
ゲート端子部
Gate Terminal
Tjw
Tstg
Viso
F
■熱特性
Thermal Characteristics
項 目
Parameter
接触熱抵抗
Thermal Resistance
記号
Symbol
R
th(c-f)
条件
Conditions
½½½½－ﾌ½ﾝ間(ﾄ½ﾀﾙ)½½½ﾏﾙ½ﾝﾊﾟ½ﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin , Total , Greased
特性値（最大）
Maximum Value
0.06
単
½
Unit
℃/Ｗ
ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しﾋﾟ½½逆電圧
*1
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しﾋﾟ½½逆電圧
*1
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
サージ順電流
Surge Forward Current
電流二乗時間積
I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency
*1
*1
記号
Symbol
V
RRM
V
RSM
記号
Symbol
I
FSM
I
2
t
定格値
Max.Rated Value
800
900
条件
Conditions
50Hz
正弦半波，1 ½½½ﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2½10ms
定格値
Max. Rated Value
600
1800
400
単
½
Unit
V
V
単
½
Unit
A
A
2
½
Hz
f
*1：1
½½ﾑ½たりの値
Value Per 1 Arm.
ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
*1
*1
記号
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-c)
条件
Conditions
Tj = 125℃, V
RM
= V
RRM
Tj = 25℃, I
FM
= 50A
接合部―½½½½間(ﾄ½ﾀﾙ)
Junction to Case , Total
特性値（最大）
Maximum Value
3
1.15
0.11
単
½
Unit
mA
V
℃/Ｗ
熱抵抗
Thermal Resistance
*1：1
½½ﾑ½たりの値
Value Per 1 Arm.
サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 die)
■最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しﾋﾟ½½オフ電圧
*2
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しﾋﾟ½½オフ電圧
*2
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
V
DRM
V
DSM
定格値
Max.Rated Value
800
900
単
½
Unit
V
V
*2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
項 目
Parameter
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間績
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
記号
Symbol
I
Ｔ
SM
I
2
t
di/dt
P
GM
P
G(AV)
I
GM
V
GM
V
RGM
条件
Conditions
50Hz
正弦半波，1 ½½½ﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2½10ms
V
D
= 2/3 V
DRM
, I
TM
= 2・Io, Tj =125℃
I
G
= 200mA, di
G
/dt = 0.2A/μs
定格値
Max. Rated Value
1200
7200
100
5
1
2
10
5
単
½
Unit
A
A
2
½
A/μs
W
W
A
V
V
■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
記号
Symbol
I
DM
V
TM
I
GT
条 件
Conditions
Tj = 125℃, V
DM
= V
DRM
Tj = 25℃, I
TM
= 50A
V
D
= 6 V, I
T
= 1A
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
特性値（最大）
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
15
1.15
200
100
50
4.0
2.5
2.0
単
½
Unit
mA
V
mA
V
GT
V
GD
dv/dt
t
q
t
gt
V
D
= 6 V, I
T
= 1A
Tj =125℃, V
D
= 2/3 V
DRM
Tj =125℃, V
D
= 2/3 V
DRM
V
V
V/μs
0.25
500
150
6
Tj =125℃, I
TM
= Io, V
D
= 2/3 V
DRM
dv/dt = 20V/μs, V
R
= 100V,
‐di/dt
= 20A/μs
Tj =25℃, V
D
= 2/3 V
DRM
, I
T
=3・I
O
I
G
= 200mA, di
G
/dt = 0.2A/μs
μs
μs
京公网安备 11010802033920号
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