ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
•
Fast Switching Speeds
•
Complementary Pairs Simplifies Designs
(1) Pulse Width
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver
stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Complementary Silicon Power
Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TJ = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 4.0 Adc)
DC Current Gain
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 2.0 Adc)
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TA = 25
_
C
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Emitter Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
v
6.0 ms, Duty Cycle
v
50%.
Rating
Characteristic
Characteristic
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VEB
PD
IC
D44H8,11
D45H8,11
D44H8,11
D44H8,11
D44H10
D45H10
D44H10
D45H10
60
8
D44H or D45H
– 55 to 150
50
1.67
5.0
10
20
10, 11
80
Symbol
hFE
Watts
Unit
Adc
Vdc
Vdc
_
C
Symbol
R
θJC
R
θJA
TL
Min
40
20
60
35
D45H Series
*
D44H Series
*
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 80 VOLTS
*Motorola Preferred Device
Max
275
2.5
75
CASE 221A–06
TO–220AB
Max
—
—
—
—
NPN
PNP
_
C/W
_
C/W
Unit
_
C
Unit
3–411
—
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
D44H Series D45H Series
SWITCHING TIMES
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
3–412
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Fall Time
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 102 = 0.5 Adc)
Storage Time
(IC = 5.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
Delay and Rise Times
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
Gain Bandwidth Product
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
Collector Capacitance
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
Characteristic
100
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
5.0
3.0
2.0
50
30
20
10
TC
≤
70° C
DUTY CYCLE
≤
50%
D44H Series
D45H Series
D44H/D45H8,11
D44H/D45H10
D44H Series
D45H Series
D44H Series
D45H Series
D44H Series
D45H Series
D44H Series
D45H Series
dc
Figure 1. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area
2.0 3.0
20 30
50 70
5.0 7.0 10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
D44H/45H8
D44H/45H10,11
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
td + tr
IEBO
ICES
1.0 ms
Ccb
fT
ts
tf
100
µs
10
µs
1.0
µs
Min
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
Typ
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
—
—
—
—
—
Max
100
1.5
1.0
1.0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MHz
Unit
Vdc
Vdc
µA
µA
pF
ns
ns
ns
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
1
2
3
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
ICCont
Amps
Max
1
2
VCEO(sus)
Volts
Min
250
400
700
1000
3
5
100
100
400
450
700
1000
1000
550
6
400
450
8
80
150
400
700
1200
700
1000
VCES
Volts
Min
hFE
Min/Max
30/150
14/34
14/34
@ IC
Amp
0.3
0.2
0.2
1
3
0.3
.005
0.3
0.5
0.5
0.5
2
3
5
1
1
4
4
3
1.5
8
Resistive Switching
ts
µs
Max
2 typ
2.75(3)
2.75(3)
0.6
1.5 typ
1.7(3)
4
1.7(3)
2.75(3)
2.5(3)
3.2(3)
0.5 typ
1 typ
3
2.5(3)
2.75(3)
—
0.5 typ
1.5 typ
2.75(3)
3
tf
µs
Max
0.17 typ
0.2(3)
0.175(3)
0.3
1.5 typ
0.15(3)
0.8
0.15(3)
0.2(3)
0.15(3)
0.15(3)
0.13 typ
0.15 typ
0.7
0.18(3)
0.18(3)
—
0.14 typ
1.5 typ
0.2(3)
0.7
3
8
@ IC
Amp
0.3
1
1
1
3
1
2.5
1
2
3
3
2
3
5
2
2
—
5
13 typ
12
14 typ
14 typ
4
30
4
14 typ
13 typ
2
40
20(1)
12
8
fT
MHz
Min
10
13 typ
13 typ
3
4(1)
12 typ
PD (Case)
Watts
@ 25°C
28
25
25
28
28
35
40
35
35
40
40
35
35
40
45
45
40
35
40
50
40
NPN
PNP
MJF47
BUL44F
MJF18002
MJF31C
MJF122
(2)
BUL45F
BUT11AF
MJF18004
MJF18204
BUL146F
MJF18006
MJF6107
MJF15030
MJF13007
BUL147F
MJF15031
MJF32C
MJF127
(2)
10 min
2000 min
14/34
10 min
14/34
18/35
14/34
14/34
30/90
40 min
5/30
14/34
16/34
450
10
60
80
100
450
12
400
1000
MJF18008
MJF3055
MJF44H11
MJF6388
(2)
MJF2955
MJF45H11
MJF6668
(2)
20/100
40/100
3k/20k
14/34
6/30
1000
700
MJF18009
MJF13009
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Selector Guide
2–3
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
4
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
ICCont
Amps
Max
0.5
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
350
hFE
Min/Max
15 min
40 min
TIP30C
15/75
30/150
MJE5730
30/150
30/150
30/150
500 min
14/36
30
14/34
3 min
BD242B
BD242C
25 min
25 min
25 min
50/200
@ IC
Amp
0.1
0.1
1
0.3
0.3
0.3
0.3
2
0.4
0.1
0.2
1
1
1
1
0.5
0.6 typ
0.6 typ
2 typ
2 typ
2 typ
2 typ
1.7 typ
2.75(3)
3.5
3(3)
4 typ
ts
µs
Max
1
2
3
CASE 221A–06
(TO–220AB)
PD
(Case)
Watts
@ 25°C
30
30
30
40
40
40
40
50
50
50
40
80
3
3
40
40
40
40
Resistive Switching
tf
µs
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
10 typ
10 typ
0.3 typ
0.18 typ
0.18 typ
0.18 typ
0.18 typ
1.3 typ
0.175(3)
1.4
0.17(3)
0.8 typ
1
0.3
0.3
0.3
0.3
2
1
1
1
1
3
10
10
10
10
25(1)
13 typ
4
12 typ
NPN
MJE2360T
PNP
MJE2361T
1
100
250
300
350
400
2
100
400/700
450/1000
450/1000
900/1800
3
80
100
TIP29C
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
TIP112
(2)
BUL44
BUX85
MJE18002
MJE1320
BD241B
BD241C
MJE5731
MJE5731A
(7)
TIP117
(2)
TIP31C
150
TIP32C
MJE9780
0.3 typ
1
3
5 typ
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)V
CEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is V
CEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
Device Type
ICCont
Amps
Max
4
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
40
60
80
400/700
5
100
250
300
400/700
450/1000
450/850
450/1000
550/1200
6
80
100
hFE
Min/Max
45/100
750 min
40/120
6/30
@ IC
Amp
4
1.5
0.2
3
3
2.5
2.5
0.3
5
5
0.3
0.5
3
3
3
6
0.5
0.5
3
2.5
2
3
1.5
1.5
2.5
0.75
0.75
5
5
3
1.5 typ
1.8
1.8
1.7(3)
3
2.7
1.7
2.75(3)
0.4 typ
0.4 typ
0.4 typ
1.5(2)
1.75(3)
3.2(3)
0.4 typ
0.4 typ
0.4 typ
0.7
1.5 typ
0.8
0.8
0.15(3)
0.3
0.35
0.15
0.2(3)
0.15 typ
0.15 typ
0.15 typ
0.15(2)
0.15(3)
0.13(3)
0.15 typ
0.15 typ
0.15 typ
1
3
4
2.5
2.5
1
3
3
1.0
2
3
3
3
1
3
3
3
3
3
13
12
3
3
3
10
14 typ
14 typ
4
4
4
3
10
10
7.5
Resistive Switching
ts
µs
Max
tf
µs
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
5
1(1)
40 typ
4
4(1)
5
5
12 typ
PD
(Case)
Watts
@ 25°C
75
40
30
60
75
80
80
75
80
80
75
75
65
65
65
80
100
100
40
40
40
65
60
60
75
NPN
PNP
MJE1123
MJE800
(2)
D44C12
MJE13005
TIP122
(2)
2N6497
MJE700
(2)
D45C12
TIP127
(2)
1k min
10/75
10/75
14/34
5 min
7 min
14/34
18/35
2N6498
BUL45
MJE16002
MJE16004
MJE18004
MJE18204
BD243B
BD243C
TIP41C
BD244B
BD244C
TIP42C
15 min
15 min
15/75
5 min
14/34
14/34
250/550
400/700
450/1000
7
30
50
70
100
150
200
450
MJE16204
BUL146
MJE18006
2N6288
2N6111
2N6109
30/150
30/150
30/150
15 min
30 min
30 min
250 min
2N6292
BD801
BU407
2N6107
BD802
BU406
BU522B
(2)
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)V
CEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is V
CEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Selector Guide
2–5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
