Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
µs,
Duty Cycle
2.0%.
(2) fT =
h
fe
•
ftest.
(3) This rating based on testing with LC = 20 mH, RBE = 100
Ω,
VCC = 10 V, IC = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
Compact TO–220 AB package.
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
REV 1
DC Current Gain (IC = 0.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DC Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Unclamped Inductive Load Energy
(See Note 3)
Total Power Dissipation @ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Small–Signal Current Gain (IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
Current–Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
Base–Emitter On Voltage (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 125 mAdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0)
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
Characteristic
Rating
v
Characteristic
TIP29B, TIP30B
TIP29C, TIP30C
TIP29B, TIP30B
TIP29C, TIP30C
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VCB
v
R
θJC
R
θJA
VEB
IC
PD
IB
PD
E
TIP29B
TIP30B
80
80
– 65 to + 150
2.0
0.016
4.167
62.5
Max
30
0.24
0.4
1.0
3.0
5.0
32
TIP29C
TIP30C
100
100
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(on)
Symbol
ICEO
ICES
IEBO
hFE
hfe
fT
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
_
C/W
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
mJ
_
C
Min
80
100
3.0
20
40
15
—
—
—
—
—
—
1 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
80 – 100 VOLTS
30 WATTS
TIP29B
TIP29C
PNP
TIP30B
TIP30C
CASE 221A–06
TO–220AB
Max
200
200
1.3
0.7
1.0
0.3
—
75
—
—
—
—
NPN
mAdc
mAdc
µAdc
3–871
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
—
—
TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C
500
300
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
– 55°C
t, TIME (
µ
s)
100
70
50
30
VCE = 2.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.05 0.07 0.1
0.5 0.7 1.0
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
tf @ VCC = 30 V
3.0
2.0
ts
′
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts
′
= ts – 1/8 tf
TJ = 25°C
tf @ VCC = 10 V
10
7.0
5.0
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Turn–Off Time
TURN–ON PULSE
APPROX
+11 V
Vin 0
VEB(off)
APPROX
+11 V
Vin
t2
TURN–OFF PULSE
VCC
RC
Vin
RB
t, TIME (
µ
s)
SCOPE
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
tr @ VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
t1
t3
Cjd << Ceb
t1
≤
7.0 ns
100 < t2 < 500
µs
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE
≈
2.0%
APPROX – 9.0 V
RB and RC VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
– 4.0 V
tr @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
td @ VEB(off) = 2.0 V
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
Figure 3. Switching Time Equivalent Circuit
Figure 4. Turn–On Time
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 150°C
3.0
dc
0.1
SECOND BREAKDOWN LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
0.1
1.0
TIP29B, 30B
TIP29C, 30C
100
5 ms
1 ms
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE opera-
tion; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
v
4.0
20
40
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE, (VOLTS)
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
3–872
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
