SBY1520R...SBY1545R
SBY1520R...SBY1545R
Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode
Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage – Einzeldiode
Version 2012-07-27
1.2
±0.2
14.9
±0.4
10.1
±0.3
2.8
±0.3
Nominal Current
Nennstrom
4
15 A
20...45 V
TO-220AC
1.6 g
Ø 3.8
±0.2
4
8.7
Type
Typ
±0.3
4.5
±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
±0.3
1
13.9
±0.3
2.67
±0.2
0.42
±0.4
3
1.3
±0.1
1
3
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
0.8
±0.2
5.08
±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
45
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
20
30
40
45
T
C
= 100°C
T
C
= 130°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
3.9
Grenz- und Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
< 0.65
< 0.65
< 0.65
< 0.65
15 A
15 A
30 A
2
)
135/150 A
80 A
2
s
-50...+150°C
≤ 200°C
-50...+175°C
< 0.51
< 0.51
< 0.51
< 0.51
I
FAV
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
j
T
S
SBY1520R
SBY1530R
SBY1540R
SBY1545R
Max. average forward rectified current (AC), R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Max. current in DC forward mode
Dauergrenzstrom bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
T
j
= 25°C
Max. temperature of the case T
C
= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T
C
= 100°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SBY1520R...SBY1545R
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
I
R
Kennwerte
< 200 µA
typ. 60 µA
< 10 mA
< 2.0 K/W
R
thC
120
[%]
100
10
2
[A]
10
SBY1520...SBY1545
80
1
60
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses
0
0.4
0.6
1.0
V
F
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
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