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MB85RS16

Description
16 K (2 K×8) ビットSPI
Categoryaccessories   
File Size293KB,32 Pages
ManufacturerFUJITSU
Websitehttp://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB85RS16 Overview

16 K (2 K×8) ビットSPI

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00014-6v0-J
メモリ
FRAM
16 K (2 K×8)
ビット
SPI
MB85RS16
概 要
MB85RS16
,
不揮発性メモリセルを½成する強誘電½プロセスとシリコンゲート
CMOS
プロセスを用いた
2,048
ワー
×8
ビット構成の
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory
強誘電½ランダムアクセスメモリ
)
です。
MB85RS16
,
シリアルペリフェラルインタフェース
(SPI)
を採用しています。
MB85RS16
, SRAM
のようにデータバックアップ用バッテリを½用することなくデータ保持が可½です。
MB85RS16
に採用しているメモリセルは
10
12
回の書込み
/
読出し動½が可½で
,
フラッシュメモリや
E
2
PROM
の書換え
可½回数を大きく上回ります。
した
MB85RS16
はフラッシュメモリや
E
2
PROM
のような長い書込み時間は必要とせず
,
書込みの待ち時間はゼロです。
がって
,
書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
特 長
・ ビット構成
:2,048
ワード
×8
ビット
・ シリアルペリフェラルインタフェース
: SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI
モード
0 (0, 0)
とモード
3 (1, 1)
に対応
・ 動½周波数
: 20 MHz(Max)
・ 書込み
/
読出し耐性
: 10
12
/
バイト
・ データ保持特性
: 10
(
85
°C),
95
(
55
°C),
200
年以上
(
35
°C)
・ 動½電源電圧
: 2.7 V
3.6 V
・ ½消費電力
:
動½電源電流
1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流
5
μA
(Typ)
・ 動½周囲温度
:
40
°C
∼+
85
°C
・ パッケージ
:
プラスチック
SOP, 8
ピン
(FPT-8P-M02)
プラスチック
SON, 8
ピン
(LCC-8P-M04)
本½品は
RoHS
指令に適合しています。
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