BSM 100 GT 170 DL
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Grenzlastintegral der Diode
Isolations-Prüfspannung
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-Emitter Reststrom
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
I
2
t - value, Diode
insulation test voltage
collector-emitter saturation voltage
gate threshold voltage
input capacitance
collector-emitter cut-off current
gate-emitter leakage current
turn-on delay time (inductive load)
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
t
p
= 1 ms, T
C
= 80°C
T
C
= 25°C, Transistor
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
I
FRM
I
2
t
V
ISOL
v
CE sat
v
GE(th)
C
ies
I
CES
I
GES
t
d,on
min.
-
-
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-40
vorläufige Daten
preliminary data
1700
100
200
200
960
± 20
100
200
4500
3,4
typ.
2,7
3,2
5,5
7
0,05
3
-
0,1
0,1
0,1
0,1
0,8
0,9
0,03
0,03
50
30
400
25
2,2
2
65
95
11
24
4,5
8,5
-
-
-
-
-
-
max.
3,3
-
6,5
-
0,2
-
200
V
A
A
A
W
V
A
A
A
2
s
kV
V
V
V
nF
mA
mA
nA
t
p
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
C
= 100A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
I
C
= 100A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
I
C
= 5mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
C
= 100A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 100A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 100A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 100A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 100A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
I
C
= 100A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
t
P
≤
10µsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 15Ω
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=1000V
V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
x dI/dt
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
t
r
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- µs
- mWs
- mWs
- A
- nH
2,6 V
- V
- A
- A
- µAs
- µAs
- mWs
- mWs
0,13 K/W
0,28 K/W
0,012
150
125
125
Al
2
O
3
20
11
225
5
5
300
K/W
°C
°C
°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
t
d,off
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
t
f
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
Kurzschlußverhalten
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
SC Data
E
on
E
off
I
SC
Modulinduktivität
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
stray inductance module
forward voltage
peak reverse recovery current
L
sCE
V
F
I
RM
Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode
I
F
= 100A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 100A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1500A/µsec
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1500A/µsec
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1500A/µsec
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
Transistor / transistor, DC
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Q
r
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Innere Isolation
Kriechstrecke
Luftstrecke
CTI
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
Gewicht
thermal resistance, junction to case
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
Diode / diode, DC
thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module
d
Paste
≤
50µm / d
grease
≤
50µm
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
internal insulation
creepage distance
clearance
comperative tracking index
mounting torque
terminal connection torque
weight
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
mm
mm
Nm
Nm
g
terminals M6
max.
max.
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BSM 100 GT 170 DL
220
200
180
I
C
[A] 160
140
120
100
80
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
V
CE
[V]
5,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
220
200
180
I
C
[A] 160
140
120
100
80
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
V
CE
[V]
5,0
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
BSM 100 GT 170 DL / 1
BSM 100 GT 170 DL / 2
Bild / Fig. 1
Ausgangskennlinie (typisch) /
Output characteristic (typical)
I
C
= f(V
CE
)
V
GE
= 15V
220
200
I
C
[A] 160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
[V]
13
180
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Bild / Fig. 2
Ausgangskennlinienfeld (typisch) /
Output characteristic (typical)
I
C
= f(V
CE
)
T
vj
= 125°C
220
200
I
F
[A] 160
140
120
100
80
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V
F
[V]
3,0
180
Tj = 25°C
Tj = 125°C
BSM 100 GT 170 DL / 3
BSM 100 GT 170 DL / 4
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristic (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
200
180
160
E
[mJ]140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I
C
[A]
200 220
0
40
20
60
Eoff
Eon
Erec
120
100
80
Bild / Fig. 4
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I
F
= f(V
F
)
E
[mJ]
Eoff
Eon
Erec
0
10
20
30
40
50
60
R
G
[Ω]
70
BSM 100 GT 170 DL / 5
BSM 100 GT 170 DL / 6
Bild / Fig. 5
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
E
on
= f(I
C
), E
off
= f(I
C
), E
rec
= f(I
C
)
R
gon
= R
goff
=
15Ω, V
CE
= 900V, T
j
= 125°C
Bild / Fig. 6
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
E
on
= f(R
G
), E
off
= f(R
G
), E
rec
= f(R
G
)
I
C
= 100A, V
CE
= 900V, T
j
= 125°C
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