テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DD800S33K2C
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
電流二乗時間積
I²t-value
最大損失
Maximumpowerdissipation
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
3300
3300
800
1600
220
1600
10,0
min.
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
typ.
2,80
2,80
1100
1300
500
900
490
1150
max.
3,50
3,50
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
26,0 K/kW
12,0
-40
125
K/kW
°C
V
A
A
kA²s
kW
µs
P
RQM
t
on min
電気的特性/CharacteristicValues
順電圧
Forwardvoltage
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
動½温度
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
/Diode（１素子½り）/perdiode
/Diode（１素子½り）/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DD800S33K2C
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
部分放電電圧
Partialdischargeextinctionvoltage
DCスタビリティ
DCstability
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
沿面距離
Creepagedistance
空間距離
Clearance
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
保存温度
Storagetemperature
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,/スイッチ/perswitch
/モジュール/permodule
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
T
vj
= 25°C, 100 fit
V
ISOL
V
ISOL
V
CE D
min.
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
4,25
6,0
2,6
1800
AlSiC
AlN
32,2
32,2
19,1
19,1
> 400
typ.
6,00
25
0,34
125
5,75
max.
K/kW
nH
mΩ
°C
Nm
kV
kV
V
mm
mm
1,8
M
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
質量
Weight
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ800R33KF2C Modul.
Dynamic data valid in conjunction with FZ800R33KF2C module.
G
1000
g
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approvedby:EO
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revision:V3.0
2
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IGBT-モジュール
IGBT-Module
DD800S33K2C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=Ω,V
CE
=1800V
1600
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
1600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
1400
1200
1000
I
F
[A]
800
600
400
200
0
1400
1200
1000
E [mJ]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
F
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
I
F
[A]
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=800A,V
CE
=1800V
1600
E
rec
, T
vj
= 125°C
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
100
Z
thJC
: Diode
1400
1200
10
1000
800
600
1
400
200
0
0,1
0,001
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24
τ
i
[s]:
0,03 0,1 0,3 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
R
G
[Ω]
Z
thJC
[K/kW]
E [mJ]
0,01
0,1
t [s]
1
10
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approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DD800S33K2C
安全動½領域Diode、インバータ(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
I
R
=f(V
R
)
T
vj
=125°C
2000
I
R
, Modul
1800
1600
1400
1200
I
R
[A]
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000
1500 2000
V
R
[V]
2500
3000
3500
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DD800S33K2C
回路図/Circuitdiagram
パッケージ概要/Packageoutlines
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5
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