Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 800 S 33 K2
Datenblatt
datasheet
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
I t - value, Diode
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
t
P
= 1 ms
T
j
= 25°C
T
j
= -25°C
V
R
3300
3300
800
V
I
F
A
I
FRM
1600
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
2
I t
222.200
A
2
s
T
j
= 125°C
P
RQM
800
kW
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
6.000
V
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 800 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 800 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
V
CE
= 3300V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 3300V, T
vj
= 125°C
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/µsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/µsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/µsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
Modulinduktivität
stray inductance module
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
pro Diode / per diode
L
sCE
E
rec
-
-
-
490
1000
25
-
-
-
mWs
mWs
nH
Q
r
-
-
500
900
-
-
µAs
µAs
I
RM
-
-
650
700
-
-
A
A
I
R
V
F
min.
-
-
-
-
typ.
2,80
2,80
0,01
4
max.
3,50
3,50
1,6
20
V
V
mA
mA
T = 25°C, pro Diode / per diode
R
CC’+EE’
-
0,34
-
mΩ
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approved by: Chr. Lübke: 04.10.99
date of publication : 08.06.99
revision: 2
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Diode / per diode
pro Modul / per module
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
typ.
-
-
0,006
max.
0,026
0,013
-
K/W
K/W
K/W
T
vj
-
-
150
°C
T
op
-40
-
125
°C
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4
terminals M8
G
M1
AlSiC
AlN
32,2
mm
19,1
mm
> 400
5
Nm
M2
2
8 .. 10
1000
Nm
Nm
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I
F
= f (V
F
)
1600
1500
1400
Tj = 25°C
Tj = 125°C
1300
1200
1100
1000
I
F
[A]
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V
F
[V]
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Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
T
vj
= 125°C
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
I
R
[A]
700
600
500
400
300
200
100
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
V
R
[V]
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Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
0,1
Z
thJC
= f (t)
Zth:Diode
0,01
Z
thJC
[K / W]
0,001
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
t [sec]
i
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
1
4,76
0,0068
2
12,98
0,0642
3
3,86
0,3209
4
4,40
2,0212
5 (6)
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京公网安备 11010802033920号
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