IR-Lumineszenzdiode (940nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR
®
Gehäuse
High Power Infrared Emitter (940nm) in SMR
®
Package
Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS
SFH 4542
SFH 4543
SFH 4542
SFH 4543
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
SMR
®
(Surface Mount Radial) Gehäuse
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500
Kurze Schaltzeiten
Features
•
•
•
•
High Power Infrared LED
SMR
®
(Surface Mount Radial) package
Same package as photodiode SFH 2500
Short switching times
Anwendungen
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
• Diskrete Optokoppler
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Applications
• Sensor technology
• Discrete interrupters
• Discrete optocouplers
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4542
SFH 4543
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A8093
Q65110A8094
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
≥
63 (typ. 180)
≥
63 (typ. 180)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2009-09-08
1
SFH 4542, SFH 4543
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
60
μs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 85
5
100
1.5
180
300
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
, T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 20 mm
2
each
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
940
nm
Δλ
42
nm
ϕ
±
10
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm²
A
L
×
B
L
×
W
2009-09-08
2
SFH 4542, SFH 4543
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Sperrstrom
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
11
Einheit
Unit
ns
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
not designed for
μA
reverse
operation
50
mW
Φ
e typ
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–3
+ 0.3
mV/K
nm/K
2009-09-08
3
SFH 4542, SFH 4543
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
-V
Strahlstärke
I
e min
Radiant intensity
I
e max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 25
μs
1)
Werte
Values
-AW
100
200
1080
-BW
160
320
1700
63
125
680
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
I
e typ
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) /
Only one bin in one packing unit (variation lower 2:1)
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHL03768
ϕ
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2009-09-08
4
SFH 4542, SFH 4543
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
OHF04134
Radiant Intensity
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 25
μs
10
1
OHF03819
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
= 300 K/W
0.11
A
OHF03814
I
rel
%
80
I
e
I
e
(100 mA)
10
0
5
I
F
0.08
0.07
60
10
-1
0.06
0.05
0.04
40
5
10
-2
0.03
0.02
0.01
20
5
0
800
10
-3
850
900
950
nm 1025
10
0
5 10
1
5 10
2
5 10
3
mA 10
4
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 ˚C 100
λ
I
F
T
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 100
μs
10
1
A
10
0
5
10
-1
5
10
-2
5
10
-3
5
10
-4
OHF03820
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
I
F
1.6
A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
OHF03812
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 85
°C,
duty cycle
D
= parameter
I
F
1.6
A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
OHF03813
I
F
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
V
F
t
p
t
p
2009-09-08
5
京公网安备 11010802033920号
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