DBI20-04B ... DBI20-16B
DBI20-04B ... DBI20-16B
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2013-02-05
35
±0.2
5.5
±0.2
4.0
±0.2
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20 A
400...1600 V
35 x 25 x 4 [mm]
+ ~~~ –
9g
Type
25
±0.2
±0.2
16
Plastic case – Plastikgehäuse
Pinning – Anschlussfolge
1.3
4
±0.2
4
-0.3
16.5
3.5
2.0
1.0
1.5
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
4x7.5
0.5
Dimensions - Maße [mm]
Features
Solderable terminals for (automatic) PCB
assembly
Enlarged creepage and clearance for direct
heatsink assembly
Vorteile
Lötbare Anschlüsse für (automatisierte)
Leiterplattenmontage
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für
direkte Kühlkörpermontage
Maximum ratings
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max.
Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
280
560
800
1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische
Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
400
800
1200
1600
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
Grenzwerte
Surge peak reverse
voltage
Stoßpitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
500
900
1300
1700
38 A
2
)
200/210 A
180 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
DBI20-04B
DBI20-08B
DBI20-12B
DBI20-16B
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DBI20-04B ... DBI20-16B
Characteristics
Max. current without cooling
Dauergrenzstrom ohne Kühlung
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to ambient (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Diode)
Thermal resistance junction to case (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode)
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
T
A
= 50°C
T
C
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
R or C load
I
F
= 20 A
V
R
= V
RRM
I
FAV
I
FAV
V
F
I
R
I
R
V
ISO
R
thA
R
thC
M4
Kennwerte
3.0 A
1
)
20 A
< 1.3 V
2
)
< 10 µA
2
)
< 4 mA
2
)
> 2500 V
< 50 K/W
< 5.0 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
80
10
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-1
240a-(10a-1,1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Download Centre
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
