Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
Höchstzulässige Kommutierungsspannung
als GTO Snubberdiode
maximum permissible link voltage
as GTO snubber-diode
i
FM
= 1000A, v
R
= 1500 V
t
C
= 85°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
t
vj
= -40°C ... t
vj max
f = 50Hz
V
RRM
3500, 4000 V
4500
1920 A
I
FRMSM
I
FAVM
900 A
1225 A
21,5 kA
6
2
I
FSM
2
It
2,3-10
As
(-di
F
/dt)
com
1000 A/µs
i
F
≤
150A
L
σ
≤
250nH
snubberless
V
R(cr)
2500 V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
max
3,5 V
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
1,80 V
t
vj
= t
vj max
r
T
0,68 mΩ
t
vj
= t
vj max
V
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln
(
i
F
+
1
)
+
D
⋅
i
F
t
vj
= t
vj max
, di
F
/dt = 1000A/µs
A
B
C
D
V
FRM
typ
max.
0,0900
0,000069
0,128
0,0431
70 V
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
250 mA
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/µs
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125µF, R
S
= 6Ω
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/µs
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125µF, R
S
= 6Ω
I
RM
550 A
Q
r
max
1500 µAs
SZ M /26.06.97 Beuermann
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 901 S 35 ... 45 T
S
Vorläufige Daten
Preliminary Data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
max
max
max
0,0125 °C/W
0,0228 °C/W
0,0277 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
max
max
0,003 °C/W
0,006 °C/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
t
vj max
t
c op
-40...+125 °C
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 3
65DS45
F
27...45 kN
G
typ
850 g
30 mm
ca. 20 mm
C
2
f = 50Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
京公网安备 11010802033920号
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