Ordering number : EN6307C
2SA2013 / 2SC5566
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SA2013/2SC5566
Applicaitons
•
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
DC / DC Converter Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash
Features
•
•
•
•
•
Large current capacity
Adoption of FBET and MBIT processes
•
High-speed switching
Low collector-to-emitter saturation voltage
Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products
High allowable power dissipation
( )2SA2013
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
Conditions
Ratings
(-50)100
(-50)100
(--)50
(--)6
Unit
V
V
V
V
Continued on next page.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
Top View
4.5
1.6
1.5
Product & Package Information
• Package
: PCP
• JEITA, JEDEC
: SC-62, SOT-89, TO-243
• Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel
2SA2013-TD-E
2SC5566-TD-E
Packing Type: TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
Marking
LOT No.
0.75
2SA2013
2SC5566
Electrical Connection
2
2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
Bottom View
1
1
SANYO : PCP
3
2SA2013
2SC5566
http://semicon.sanyo.com/en/network
72512 TKIM/62405EA MSIM TB-00001405/52501 TS KT TA-3260 No.6307-1/8
FC
3
AT
LOT No.
2SA2013 / 2SC5566
Continued from preceding page.
Parameter
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
When mounted on ceramic substrate (250mm
×0.8mm)
Tc=25°C
2
Conditions
Ratings
(-
-)4
(-
-)7
(-
-)600
1.3
3.5
150
-
-55 to +150
Unit
A
A
mA
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
(--50)100
(--50)100
(--)50
(--)6
(30)35
(230)300
(15)20
200
(360)400
(24)15
(--105)85
(--200)150
(-
-)0.89
(--180)130
(--340)225
(-
-)1.2
Ratings
min
typ
max
(--)1
(--)1
560
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
μA
μA
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.≤1%
INPUT
IB1
OUTPUT
IB2
VR10
50Ω
+
100μF
VBE= --5V
+
470μF
VCC=25V
RB
RL
25Ω
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
Ordering Information
Device
2SA2013-TD-E
2SC5566-TD-E
Package
PCP
PCP
Shipping
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
memo
Pb Free
No.6307-2/8
2SA2013 / 2SC5566
0mA
--10
70
80
90mA
mA
mA
--4
IC -- VCE
2SA2013
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--50mA
4
IC -- VCE
A
60m
50mA
40mA
Collector Current, IC -- A
Collector Current, IC -- A
--3
--
A
--30m
40mA
3
30mA
--20mA
20mA
10mA
--2
2
--10mA
--1
1
0
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
IB=0mA
--2.0
IT00152
100mA
0
0
2SC5566
0.4
0.8
1.2
1.6
IB=0mA
2.0
IT00153
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--4.0
--3.5
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
4.0
3.5
IC -- VBE
2SC5566
VCE=2V
2SA2013
VCE= --2V
Collector Current, IC -- A
Collector Current, IC -- A
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
0.2
0.4
0.6
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
0.8
1.0
1.2
1.4
IT00155
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
1000
7
5
IT00154
1000
hFE -- IC
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
hFE -- IC
2SA2013
VCE= --2V
DC Current Gain, hFE
Ta=75°C
25°C
--25°C
7
5
3
2
2SC5566
VCE=2V
Ta=75°C
DC Current Gain, hFE
3
2
--25°C
25°C
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
Collector Current, IC -- A
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
IT00156
10
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
Collector Current, IC -- A
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
IT00157
VCE(sat) -- IC
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
2SA2013
IC / IB=20
VCE(sat) -- IC
2SC5566
IC / IB=20
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
C
75
°
Ta=
--25
°
C
C
25
°
C
75
°
Ta=
--25
°
C
25
°
C
Collector Current, IC -- A
5 7 --10
IT00158
Collector Current, IC -- A
5 7 10
IT00160
No.6307-3/8
2SA2013 / 2SC5566
--10000
7
5
3
2
VCE(sat) -- IC
2SA2013
IC / IB=50
25°C
°
C
75
°
C
--2
5
10000
VCE(sat) -- IC
2SC5566
IC / IB=50
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
--0.01
2
3
Ta
°
C
25°C
75
=
Ta
=
C
5
°
--2
5
°
C
Ta=7
--25
°
C
25
°
2
3
C
5
°
C
Ta=7
C
--25
°
2
3
5 7 0.1
2
3
25
°
C
5 7 --0.1
5 7 --1.0
2
3
Collector Current, IC -- A
--10
7
5 7 --10
IT00159
10
0.01
5 7 1.0
2
3
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
10
5 7 10
IT00161
VBE(sat) -- IC
Base-to-Emitter
Saturation Voltage, VBE(sat) -- V
Base-to-Emitter
Saturation Voltage, VBE(sat) -- V
5
3
2
2SA2013
IC / IB=50
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.01
2SC5566
IC / IB=50
--1.0
7
5
3
2
Ta= --25
°
C
Ta= --25°C
75
°
C
25
°
C
75°C
25
°
C
--0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
Collector Current, IC -- A
5
3
5 7 --10
IT00162
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
Cob -- VCB
Collector Current, IC -- A
5
5 7 10
IT00163
Cob -- VCB
2SA2013
f=1MHz
Output Capacitance, Cob -- pF
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2SC5566
f=1MHz
Output Capacitance, Cob -- pF
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5 7 --100
IT00164
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
1000
7
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
1000
5 7 100
IT00165
f T -- IC
f T -- IC
2SC5566
VCE=10V
Gain-Bandwidth Product, f T -- MHz
Gain-Bandwidth Product, f T -- MHz
5
3
2
2SA2013
VCE= --10V
7
5
3
2
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
5 7 --0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
10
Collector Current, IC -- A
5 7 --10
IT00166
5
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
Collector Current, IC -- A
5 7 10
IT00167
No.6307-4/8
2SA2013 / 2SC5566
2
10
7
5
ASO
2.0
PC -- Ta
2SA2013 / 2SC5566
ICP=7A
IC=4A
100ms
50
0
μ
s
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
Collector Dissipation, PC -- W
Collector Current, IC -- A
10
1ms
ms
DC
10
0
μ
s
1.5
1.3
M
op
era
tio
n
ou
1.0
nte
do
na
ce
ram
ic
bo
ard
0.01
0.1
2SA2013 / 2SC5566
Tc=25°C
Single pulse
For PNP, the minus sign is omitted.
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
0.5
(25
0m
m
2
✕
0
.8m
m)
140
160
IT00169
0
5 7 100
IT00168
0
20
40
60
80
100
120
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
4.0
3.5
Ambient Temperature, Ta --
°C
PC -- Tc
2SA2013 / 2SC5566
Collector Dissipation, PC -- W
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Case Temperature, Tc --
°C
IT01533
No.6307-5/8
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
