Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
T
vj
= - 40°C...T
vj max
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
T
C
=
T
C
=
85°C
73°C
V
RRM
800
1000
1200
900
1100
1300
455
238
290
3800
3200
7800
6600
72200
51200
30420
21780
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A²s
A²s
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
,
tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 1 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
,
T
vj
= T
vj max
,
tp = 10 ms
tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 1ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 900 A
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
max.
2,7
1,45
1,1
V
V
mΩ
V
1)
IEC 747-2
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
IEC 747-2, Methode / method II
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
T
vj
= 25°C,
v
R
=V
RRM
typ.
3,9
t
fr
typ.
3,2
µs
1)
i
R
I
RM
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=290A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=290 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=290 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
T
vj
= T
vj max
i
FM
=
A,-di
F
/dt=500A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
max.
max.
10
50
32
mA
mA
A
1)
Q
r
22
µAs
1)
t
rr
1,15
µs
1)
SR
µs/A
2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max
max
0,080
0,075
0,125
0,120
0,205
0,200
0,015
0,030
125
-40...+125
-40...+150
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
T
vj max
T
c op
T
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
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21
F
G
3,2...7,6
typ.
60
17
C
50
mm
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
0,0322
0,0597
0,0295
0,121
0,0312
0,223
5
0,0299
0,497
0,0649
3,56
0,138
3,513
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
0,0003 0,00675 0,00585
0,000067 0,00082 0,00905
0,00044 0,00806
0,000082 0,00107
0,0005
0,0088
0,0171
0,0261
0,0215
0,0345
n
max
n=1
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
0,000086 0,00121
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=∑
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
1.200
1.100
1.000
900
800
700
i
F
[A]
600
500
400
300
200
100
0
0,5
1
1,5
2
v
F
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
2,5
3
3,5
= T
vj max
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京公网安备 11010802033920号
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