Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
t
C
= 85°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
t
vj
= -40°C ... t
vj max
f = 50Hz
V
RRM
6000 V
I
FRMSM
2400 A
I
FAVM
1200 A
1500 A
26 kA
6
2
I
FSM
2
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
It
3,38-10
As
i
FM
= 3000A, v
RM
= V
RRM
,
dv / dt = 1000V / µs
GTO-Snubber, L
σ
= 100nH
(-di
F
/dt)
com
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
failure rate
λ
< 100
estimate value
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 2500A
V
R(D)
typ.
4000 V
v
F
max
3,1 V
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
1,4 V
t
vj
= t
vj max
r
T
0,68 mΩ
t
vj
= t
vj max
V
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln
(
i
F
+
1
)
+
D
⋅
i
F
t
vj
= t
vj max
, di
F
/dt = 500A/µs
A
B
C
D
V
FRM
max.
0,490
0,000044
-0,037
0,0557
typ. 110 V
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
100 mA
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/µs
v
RM
= V
RRM
GTO-Snubber C
S
= 3µF, L
σ
= 250nH
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/µs
v
RM
= V
RRM
GTO-Snubber C
S
= 3µF, L
σ
= 250nH
I
RM
max
1000 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Q
r
max
4000 µAs
SZ-M / 26.05.98, Beuermann
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode / GTO-Freewheeling Diode
D 1181 S 60 T
S
Vorläufige Daten
Preliminary Data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thJC
max
max
max
0,0125 °C/W
0,0228 °C/W
0,0277 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
max
max
0,003 °C/W
0,006 °C/W
140 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
t
vj max
t
c op
-40...+140 °C
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 3
65DS60
F
27...45 kN
G
typ
850 g
30 mm
20 mm
C
2
f = 50Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
