Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
BLD
系列晶½管
BLD SERIES TRANSISTORS
系列晶½管/
BLD102D
FEATURES
■
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■
HIGH SPEED SWITCHING
■
WIDE SOA
■
RoHS COMPLIANT
■
ELECTRONIC BALLAST
:
APPLICATION:
■
FLUORESCENT LAMP
PARAMETER
-
Collector-Base Voltage
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
Collector Current
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
VALUE
600
400
9
0.8
10
150
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
-65-150
Electronic Characteristics（Tc=25°C）
（
°
）
SYMBOL
I
CBO
I
CEO
V
CEO
V
EBO
Vcesat
Vbesat
TEST CONDITION
V
CB
=600V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=100mA,I
B
=10mA
I
C
=0.5A,I
B
=0.1A
I
C
=100mA,I
B
=10mA
V
CE
=5V,I
C
=1mA
DC Current Gain
7
10
5
2.0
4.0
µS
0.9
2.0
V
40
400
9
0.3
0.6
1.0
V
MIN
MAX
100
250
UNIT
µA
µA
V
V
V
CHARACTERISTICS
-
Collector-Base Cutoff Current
-
Collector-Emitter Cutoff Current
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Base-Emitter Saturation Voltage
h
FE
V
CE
=5V,I
C
=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=0.8A
Storage Time
Falling Time
t
S
t
f
Vf
V
CC
=5V,I
C
=0.1A,
(UI9600)
Diode Forward Voltage
I
F
=0.5A
Si semiconductors
2009.09
½单
½单
½单
½单
值大最 值小最
值大最 值小最
值大最 值小最
值大最 值小最
件条试测
件条试测
件条试测
件条试测
号符
号符
号符
号符
压电和饱极射发 极电集
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
流电止截极射发 极电集
流电止截极基 极电集
称名数参
称名数参
称名数参
称名数参
压电和饱极基 极射发
降压向正管极二½内
间时降下
间时存贮
）
）
）
）
Tc=25°C
°
½单
½单
½单
½单
值定额
值定额
值定额
值定额
）
）
）
）
Absolute Maximum Ratings Tc=25°C
°
号符
号符
号符
号符
（
（
（
（
）
）
）
）
Tc=25°C
°
范规
范规
范规
范规
●
器流镇子电 灯½节 用应
器流镇子电 灯½节 用应
器流镇子电 灯½节 用应
●
器流镇子电 灯½节 用应
：
：
：
：
●
合符 ½区½工全安 快度速关开 高压耐 点特
合符 ½区½工全安 快度速关开 高压耐 点特
合符 ½区½工全安 快度速关开 高压耐 点特
合符 ½区½工全安 快度速关开 高压耐 点特
度温存贮
度温½工高最
率功散耗极电集
流电极电集
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
压电极基 极电集
数参
数参
数参
数参
数倍大放流电
:
RoHS
（值定额大最
（值定额大最
（值定额大最
●
（值定额大最
●
（性特电
（性特电
（性特电
●
（性特电
●
TO-92
1
Analog electronics
京公网安备 11010802033920号
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