SmartLED
Hyper-Bright LED
LS L896, LY L896
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
SMT Gehäuse
•
Besonderheit des Bauteils:
kleinste Bauform
1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm (LxBxH)
•
Wellenlänge:
632 nm (super-rot),
587 nm (gelb)
•
Abstrahlwinkel:
extrem breite
Abstrahlcharakteristik (160°)
•
Technologie:
InGaAlP
•
optischer Wirkungsgrad:
7 lm/W (super-rot),
11 lm/W (gelb)
•
Gruppierungsparameter:
Lichtstärke
•
Verarbeitungsmethode:
für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
•
Lötmethode:
IR Reflow Löten
•
Vorbehandlung:
nach JEDEC Level 2
•
Gurtung:
8 mm Gurt mit 5000/Rolle, ø180 mm
oder 20000/Rolle, ø330 mm
Anwendungen
• Informationsanzeigen im Außenbereich
• Flache Hinterleuchtung (LCD, Mobile Phone,
Schalter, Display)
• Signal- und Symbolleuchten
• Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,
Fluchtwege, u.ä.)
Features
•
package:
SMT package
•
feature of the device:
smallest package
1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm (LxWxH)
•
wavelength:
632 nm (super-red),
587 nm (yellow)
•
viewing angle:
extremely wide (160°)
•
technology:
InGaAlP
•
optical efficiency:
7 lm/W (super-red),
11 lm/W (yellow)
•
grouping parameter:
luminous intensity
•
assembly methods:
suitable for all
SMT assembly methods
•
soldering methods:
IR reflow soldering
•
preconditioning:
acc. to JEDEC Level 2
•
taping:
8 mm tape with 5000/reel, ø180 mm
or 20000/reel, ø330 mm
Applications
• outdoor displays
• flat backlighting (LCD, cellular phones,
switches, displays)
• signal and symbol luminaire
• marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)
2000-09-12
1
OPTO SEMICONDUCTORS
LS L896, LY L896
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe Lichtstärke
Color of
Package
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
18.0 … 35.5
28.0 … 71.0
28.0 … 56.0
45.0 …112.0
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
70 (typ.)
140 (typ.)
120 (typ.)
230 (typ.)
Bestellnummer
Ordering Code
LS L896-M1N1-1 super-red
LS L896-N1P2-1
LY L896-N1P1-1 yellow
LY L896-P1Q2-1
colorless clear
colorless clear
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von
±
11%
ermittelt.
Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of
±
11%.
– 1 gesamter Farbbereich, Lieferung in Einzelgruppen (siehe unten)
– 1 Total color tolerance range delivery in single groups (please find attached)
Helligkeits Gruppierungsschema
Luminous Intensity Groups
Lichtgruppe
Luminous Intensity Group
M1
M2
N1
N2
P1
P2
Q1
Q2
Wellenlängengruppen für LY L896
Wavelength groups for LY L896
Gruppe
Group
min.
3
4
5
6
584
588
592
596
Wellenlänge
Wavelength
max.
588
592
596
600
nm
nm
nm
nm
Einheit
Unit
Lichtstärke
Luminous Intensity
I
V
(mcd)
18.0 … 22.4
22.4 … 28.0
28.0 … 35.5
35.5 … 45.0
45.0 … 56.0
56.0 … 71.0
71.0 … 90.0
90.0 …112.0
Lichtstrom
Luminous Flux
Φ
V
(mlm)
60 (typ.)
75 (typ.)
95 (typ.)
120 (typ.)
150 (typ.)
190 (typ.)
240 (typ.)
300 (typ.)
2000-09-12
2
OPTO SEMICONDUCTORS
LS L896, LY L896
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µ
s,
D
= 0.1
Sperrspannung
Reverse voltage
Leistungsaufnahme
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
LY
LS
°C
°C
°C
60
-
mA
A
– 40 … + 100
– 40 … + 100
+ 110
30
-
Einheit
Unit
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
3
80
170
V
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
th JA
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
R
th JS
Sperrschicht/Lötpad
Junction/solder point
Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board FR 4 (pad size
≥
16 mm
2
)
500
290
K/W
K/W
2000-09-12
3
OPTO SEMICONDUCTORS
LS L896, LY L896
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
Temperature coefficient of
λ
peak
I
F
= 20 mA;
–
10
°
C
≤
T
≤
100
°
C
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
Temperature coefficient of
λ
dom
I
F
= 20 mA;
–
10
°
C
≤
T
≤
100
°
C
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 20 mA;
–
10
°
C
≤
T
≤
100
°
C
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 20 mA
(typ.)
Symbol
Symbol
LS
Werte
Values
LY
591
nm
645
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
(typ.)
632
587
nm
(typ.)
∆λ
2
ϕ
16
15
nm
(typ.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
160
2.0
2.5
0.01
10
0.14
160
2.0
2.5
0.01
10
0.13
Grad
deg.
V
V
V
F
V
F
I
R
I
R
TC
λpeak
µ
A
µ
A
nm/K
(typ.)
TC
λdom
0.01
0.10
nm/K
(typ.)
TC
V
– 2.0
– 2.5
mV/K
(typ.)
η
opt
7
11
lm/W
2000-09-12
4
OPTO SEMICONDUCTORS
LS L896, LY L896
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 10 mA
Relative Spectral Emission
V(
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
OHL01061
I
rel
%
80
V
λ
60
40
yellow
super-red
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
ϕ
)
Radiation Characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHL01440
ϕ
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
5
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2000-09-12
OPTO SEMICONDUCTORS
京公网安备 11010802033920号
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