DAN401 / DAP401 (200 mW)
DAN401 / DAP401 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-04-15
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
5-pin Plastic case
5-Pin Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
200 mW
80 V
13 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.7 g
13
±0.2
3.5
±0.2
6.6
±0.2
Type
Typ
3.5
Ø 0.5
4 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN401
DAP401
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
80
80
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
80
80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FSM
T
j
T
S
100 mA
2
)
50 mA
2
)
100 mA
2
)
50 mA
2
)
500 mA
-50...+150°C
-50...+150°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
1
2
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DAN401 / DAP401 (200 mW)
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 10 mA
V
R
= 20 V
V
F
I
R
t
rr
R
thC
Kennwerte
< 1.0 V
1
)
< 25 nA
< 4 ns
< 85 K/W
2
)
I
F
= 10 mA through/über
I
R
= 10 mA to I
R
= 1 mA
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
-3
T
j
= 25°C
I
F
10
-4
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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