DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
Rectifier Arrays
Gleichrichtersätze
Version 2011-07-08
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.25
1.2 W
100...1000 V
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
0.6 g
2.6
±0.2
4.5
Type / Typ
6.5
9-pin Plastic case
9-Pin Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
±0.2
8 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
1
2
3
4
5
2
6
7
8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
“DA811K...DA8110K”
common cathodes / gemeinsame Kathoden
“DA811A...DA8110A”
common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
DA811A/K
DA814A/K
DA8110A/K
Max. power dissipation – max. Verlustleistung
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
100
400
1000
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
tot
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FSM
T
j
T
S
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1)
120
480
1200
1.2 W
1
)
600 mA
2
)
150 mA
2
)
600 mA
2
)
150 mA
2
)
30 A
-50...+150°C
50...+150°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
1
2
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
j
= 25°C
I
F
= 1 A
V
F
I
R
I
R
R
thC
Kennwerte
< 1.1 V
1
)
< 10 µA
< 90 µA
< 85 K/W
2
)
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C V
R
= V
RRM
120
[%]
100
10
2
[A]
10
80
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
30a-(1a-1.1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature
1
)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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