Periodische Vorwärts - und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj
= -40°C.. 0°C... t
vj max
6000
6200
6500
6700
7000
7200
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
I t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
t
C
= 85°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
I
TRMSM
510 A
I
TAVM
245 A
325 A
4,7 kA
4,2 kA
110,5·10 A s
2
3
88,2·10 A s
300 A/µs
3
2
I
TSM
2
It
(di/dt)
cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
(dv/dt)
cr
2000 V/µs
SM PB 2000-11-07, Dorn / Keller
Release 2
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 201N 60...70TOH
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
v
T
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 500A
typ.
3,25
typ.
1,24
3,97
typ.
0,02009
0,002673
0,2013
0,02874
Max.
3,40
Max.
1,29
4,18
Max.
-0,4570
0,003951
0,4384
-0,03762
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
(200A / 600A)
V
(TO)
r
T
V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinien
On - state characteristics for calculation
t
vj
= t
vj max
V
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
ln
(
i
T
+
1
)
+
D
⋅
i
T
100 A
≤
i
T
≤
1000 A
A
B
C
D
I
GT
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
t
vj
= 25°C, v
D
= 6V
350 mA
t
vj
= 25°C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25°C, v
D
= 0,5
VDRM
I
GD
20 mA
10 mA
0,4 V
V
GD
t
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7Ω
I
H
350 mA
t
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10Ω
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/µs, t
g
= 20µs
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25°C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/µs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/µs, -di
T
/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 500 A, di/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 500 A, di/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
L
3 A
i
D
, i
R
100 mA
t
gd
2,5 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
q
typ.
600 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Q
r
3,5 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
130 A
SM PB 2000-11-07, Dorn / Keller
Release 2
Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 201N 60...70TOH
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
Θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
0,043
0,040
0,072
0.090
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
0,006 °C/W
0,012 °C/W
125 °C
t
vj max
t
c op
-40...+125 °C
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 4
38TN70
F
7...12 kN
G
typ.
250 g
25 mm
C
2
f = 50Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
