Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 721 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
1)
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
1)
3500 V, 4000 V
t
vj
= -40°C...125°C
t
vj
= +25°C...125°C
t
C
= 85°C
t
C
= 52°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, I
M
= 2000 A, V = 3000 V
F
R
C = 0,25 µF, R = 6
Ω
(-di/dt)
com
I²t
I
FSM
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
3600 V, 4100 V
4600 V
1700 A
720 A
1080 A
16000 A
15000 A
1,3x10
6
A²s
1,13x10
6
A²s
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
t
c
= -40°C ... +85°C
t
vj
= 125°C i
M
= 2500 A
F
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, v = 0,67 V
R
RRM
t
vj
= 125°C, v = V
RRM
R
i
FM
= 1000 A, -di /dt = 250 A/µs
F
t
vj
= 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6
Ω
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
i
FM
= 1000 A, -di /dt = 250 A/µs
F
t
vj
= 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6
Ω
Q
rr
1700 µAs
I
RM
V
R(D)
V
F
V
(TO)
r
T
i
R
typ. 2000 V
3,5 V
1,7 V
0,69 mΩ
ca. 75 mA
140 mA
1)
600 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
t
vj
max
t
c
op
t
stg
R
thCK
0,005 K/W
0,01 K/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
R
thJC
0,018 K/W
0,033 K/W
0,04 K/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
F
G
Seite / page 1
15...36 kN
ca. 600 g
ca. 20 mm
30 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
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