TRIAC
(Through Hole / Non-isolated)
TMG20C80
Triac
TMG20C80
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
（1.3）
9.9
0.3
±
（8.7）
4.5
0.2
±
1.3
0.2
±
TO-220AB2
2
Typical Applications
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
（1.7）
1
φ3
.2±
0.2
15.7
0.3
±
3
9.2
0.3
±
2
13.1
0.5
±
3
0.3
±
1.52
0.2
±
0.8
0.15
±
2.4
0.2
±
0.5
0.15
±
Features
I
T(RMS)
=20A
●
High Surge Current
●
Low Voltage Drop
●
Lead-Free Package
●
1 T1
2 T2
3 Gate
1
2
3
2.54
0.25
±
5.08
0.5
±
Identifying Code：T20C8
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Reference
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Tc＝103℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
Ratings
800
20
183/200
165
5
0.5
2
10
−40∼＋125
−40∼＋150
2
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
−
V
GT1
＋
V
GT3
−
V
GT3
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Rth
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
Gate Trigger Current
3
4
1
2
Gate Trigger Voltage
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝30A,
Inst. measurement
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−8A
/
ms，V
D
＝400V
Junction to case
Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
―
1.5
0.2
10
25
1.0
Unit
mA
V
mA
V
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
Holding Current
Thermal Resistance
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG20C80
１０
０
Gate Characteristics
１０
００
On-State Characteristics
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ =１ ５
½ ２℃
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
P
G
（0.5W）
（AV）
I
GM
（2A）
On-State Peak Current A）
（
Gate Voltage
（V）
１０
０
１
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.2V）
（
１
０
０１
．
１
０
１０
０
１０
００
１００
００
1
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
２
０
０
θ
π
θ
2π
＝180゜
θ
＝150゜
θ
＝120゜
θ
θ
＝90゜
θ
＝60゜
θ
＝30゜
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
１
５
１
０
Allowable Case Temperature
（℃）
２
５
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１５
２
１０
２
１５
１
１０
１
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
θ
＝30゜
θ
＝60゜
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
５
０
０
１５
０
θ Conduction Angle
：
５
１
０
１
５
２
０
１０
０
０
５
10
１
５
２
０
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Surge On-State Current A）
（
２０
０
１
０
Transient Thermal Impedance
１０
５
60H
Z
50H
Z
１０
０
１
５
０
０
１
１
０
１0
０
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
−
GT３
#
−
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
51mcu
京公网安备 11010802033920号
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