2SC2983
2SC2983
SMD High Current NPN Transistors
SMD Hochstrom-NPN-Transistoren
Version 2019-09-18
TO-252AA
(D-PAK)
2.3
0.5
7.0
±0.2
6.6
±0.2
5.3
±0.2
I
C
= 1.5 A
h
FE
= 70 ... 240
T
jmax
= 150°C
V
CES
= 160 V
P
tot
= 15 W
Typical Applications
Power Amplifiers
Driver Circuits
Commercial grade
1
)
Features
High collector current
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
3000 / 13“
0.32 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Typische Anwendungen
Leistungsverstärker
Treiberschaltungen
Standardausführung
1
)
Besonderheiten
Hoher Kollektorstrom
Hohe Leistungsfähigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
4
6.0
±0.2
Type
Typ
RoHS
1
2.7
2
3
1
1.0
1
1=B
2.3
3
3=E
(2)/4
2/4
=C
Dimensions - Maße [mm]
Type
2SC2983
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
2SA1225
Maximum ratings
2
)
EL
V
Pb
EE
WE
Grenzwerte
2
)
2SC2983
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
Base current – Basis-Strom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
B open
C open
T
C
= 25°C
3
)
DC
DC
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
I
B
T
j
T
S
160 V
160 V
5V
15 W
1.5 A
300 mA
+150°C
-55…+150°C
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
Measured at metallic heat flange (collector terminal) – Gemessen an der metallischen Kühlfahne (Kollektor-Anschluss)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
2SC2983
Characteristics
T
j
= 25°C
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
V
CE
= 5 V
I
C
= 100 mA
h
FE
V
CEsat
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
C
OB
R
thC
70
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100 MHz
25 pF
8.3 K/W
2
)
240
1.5 V
1V
1 µA
1 µA
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
V
CE
= 5 V
V
CB
= 160 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 500 mA
E open
C open
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
Collector output capacitance – Kollektor-Ausgangs-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
Typical thermal resistance junction to case
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Min.
Typ.
Kennwerte
Max.
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
C
50
100
150
2
[°C]
Power dissipation versus case temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Gehäusetemp. )
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Measured at metallic heat flange (collector terminal) – Gemessen an der metallischen Kühlfahne (Kollektor-Anschluss)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
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