TIP31, TIP31A ... C
NPN
Version 2004-06-29
General Purpose Transistors
Si-Epitaxial PlanarTransistors
NPN
Collector current – Kollektorstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1=B
2=C
3=E
3A
TO-220AB
2.2 g
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
TIP31
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Emitter-Base-voltage
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP31A
60 V
60 V
5V
2 W
1
)
40 W
3 A (dc)
5A
1A
150°C
- 65…+ 150°C
TIP31B
80 V
80 V
TIP31C
100 V
100 V
V
CE0
V
EB0
P
tot
40 V
40 V
B open
C open
B shorted V
CES
Power dissipation – Verlustleistung
T
C
=25°C P
tot
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
Collector current – Kollektorstrom
Peak Collector current
Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
Junction temp. – Sperrschichttemp.
Storage temp. – Lagerungstemperatur
Characteristics, T
j
= 25°C
Min.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
I
C
= 3 A, I
B
= 375 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
V
CE
= 4 V, I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V, I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V, I
C
= 3 A
1
Kennwerte, T
j
= 25°C
Typ.
–
–
–
–
Max.
1.2 V
1.8
–
50
V
CEsat
- V
BEon
h
FE
h
FE
–
–
25
10
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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General Purpose Transistors
TIP31, TIP31A ... C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= rated V
CE0
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 10 V, I
C
= 0.5 A, f = 1 MHz
Switching times – Schaltzeiten
turn-on time
turn-off time
I
Con
= 1 A,
I
Bon
= - I
Boff
= 100 mA
t
on
t
off
–
–
f
T
3 MHz
TIP31
TIP31A
TIP31B
TIP31C
I
CE0
I
CE0
I
CE0
I
CE0
I
CES
–
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
Max.
300 nA
300 nA
300 nA
300 nA
200 nA
h-Parameters at V
CE
= 10 V, I
C
= 0.5 A, f = 1 kHz
h
fe
20
–
–
–
300 ns
1 µs
–
–
–
62 K/W
1
)
3 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
TIP32, TIP32A
TIP32B, TIP32C
Thermal resistance – Wärmewiderstand
junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft
junction to case – Sperrschicht zu Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
R
thA
R
thC
M4
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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京公网安备 11010802033920号
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