MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
•
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105
VCEO(sus)
= 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106
VCEO(sus)
= 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
VCE(sat)
= 2.5 Vdc (Max) @ IC = 8.0 Adc
•
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
•
TO–220AB Compact Package
TIP100
TIP101*
TIP102*
TIP105
TIP106*
TIP107*
*Motorola Preferred Device
NPN
PNP
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
E
TIP100,
TIP105
60
60
TIP101,
TIP106
80
80
TIP102,
TIP107
100
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
5.0
8.0
15
1.0
Collector Current — Continuous
Peak
Base Current
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Unclamped Inductive Load Energy (1)
Total Power Dissipation @ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
80
0.64
30
Watts
W/
_
C
mJ
Watts
W/
_
C
PD
2.0
0.016
TJ, Tstg
– 65 to + 150
*MAXIMUM RATINGS
DARLINGTON
8 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 – 100 VOLTS
80 WATTS
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
R
θJA
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.56
62.5
_
C/W
_
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
TA TC
4.0 80
CASE 221A–06
TO–220AB
(1) IC = 1.1 A, L = 50 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 20 V, RBE = 100
Ω.
3.0 60
TC
2.0 40
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T, TEMPERATURE (°C)
120
140
160
Figure 1. Power Derating
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–891
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
V2
approx
+ 8.0 V
0
V1
approx
–12 V
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
RB
D1
+ 4.0 V
25
µs
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit reverse all polarities.
t, TIME (
µ
s)
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
Vdc
TIP100, TIP105
TIP101, TIP106
TIP102, TIP107
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ICEO
µAdc
TIP100, TIP105
TIP101, TIP106
TIP102, TIP107
50
50
50
50
50
50
Collector Cuttoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ICBO
µAdc
TIP100, TIP105
TIP101, TIP106
TIP102, TIP107
IEBO
8.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
—
1000
200
—
—
—
20,000
—
2.0
2.5
2.8
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc)
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc)
Base–Emitter On Voltage
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VCE(sat)
Vdc
VBE(on)
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small–Signal Current Gain
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
hfe
4.0
—
—
Cob
pF
(1) Pulse Test: Pulse Width
v
300
µs,
Duty Cycle
v
2%.
TIP105, TIP106, TIP107
TIP100, TIP101, TIP102
—
—
300
200
5.0
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
RC
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
TUT
VCC
– 30 V
3.0
2.0
SCOPE
ts
PNP
NPN
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
tf
≈
8.0 k
≈
120
tr
td @ VBE(off) = 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
10
Figure 2. Switching Times Test Circuit
Figure 3. Switching Times
3–892
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.02
SINGLE PULSE
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P(pk)
Z
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 1.56°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
t1
READ TIME AT t1
t2
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
2.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
50
100
200
500
1.0 k
Figure 4. Thermal Response
20
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
µs
1 ms
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
TIP100, TIP105
TIP101, TIP106
TIP102, TIP107
2.0
5.0
20
50
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
5 ms
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
< 150
_
C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
10,000
h fe , SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
TC = 25°C
VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
300
TJ = 25°C
200
C, CAPACITANCE (pF)
Cob
100
Cib
70
50
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
f, FREQUENCY (kHz)
200
500 1000
30
0.1
0.2
PNP
NPN
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
100
Figure 6. Small–Signal Current Gain
Figure 7. Capacitance
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–893
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
NPN
TIP100, TIP101, TIP102
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
hFE , DC CURRENT GAIN
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150°C
25°C
10,000
hFE , DC CURRENT GAIN
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
TJ = 150°C
25°C
– 55°C
20,000
VCE = 4.0 V
PNP
TIP105, TIP106, TIP107
– 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
10
Figure 8. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0
TJ = 25°C
2.6
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
TJ = 25°C
2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
2.0
VBE @ VCE = 4.0 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
1.5
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. “On” Voltages
3–894
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
1
2
3
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
ICCont
Amps
Max
1
2
VCEO(sus)
Volts
Min
250
400
700
1000
3
5
100
100
400
450
700
1000
1000
550
6
400
450
8
80
150
400
700
1200
700
1000
VCES
Volts
Min
hFE
Min/Max
30/150
14/34
14/34
@ IC
Amp
0.3
0.2
0.2
1
3
0.3
.005
0.3
0.5
0.5
0.5
2
3
5
1
1
4
4
3
1.5
8
Resistive Switching
ts
µs
Max
2 typ
2.75(3)
2.75(3)
0.6
1.5 typ
1.7(3)
4
1.7(3)
2.75(3)
2.5(3)
3.2(3)
0.5 typ
1 typ
3
2.5(3)
2.75(3)
—
0.5 typ
1.5 typ
2.75(3)
3
tf
µs
Max
0.17 typ
0.2(3)
0.175(3)
0.3
1.5 typ
0.15(3)
0.8
0.15(3)
0.2(3)
0.15(3)
0.15(3)
0.13 typ
0.15 typ
0.7
0.18(3)
0.18(3)
—
0.14 typ
1.5 typ
0.2(3)
0.7
3
8
@ IC
Amp
0.3
1
1
1
3
1
2.5
1
2
3
3
2
3
5
2
2
—
5
13 typ
12
14 typ
14 typ
4
30
4
14 typ
13 typ
2
40
20(1)
12
8
fT
MHz
Min
10
13 typ
13 typ
3
4(1)
12 typ
PD (Case)
Watts
@ 25°C
28
25
25
28
28
35
40
35
35
40
40
35
35
40
45
45
40
35
40
50
40
NPN
PNP
MJF47
BUL44F
MJF18002
MJF31C
MJF122
(2)
BUL45F
BUT11AF
MJF18004
MJF18204
BUL146F
MJF18006
MJF6107
MJF15030
MJF13007
BUL147F
MJF15031
MJF32C
MJF127
(2)
10 min
2000 min
14/34
10 min
14/34
18/35
14/34
14/34
30/90
40 min
5/30
14/34
16/34
450
10
60
80
100
450
12
400
1000
MJF18008
MJF3055
MJF44H11
MJF6388
(2)
MJF2955
MJF45H11
MJF6668
(2)
20/100
40/100
3k/20k
14/34
6/30
1000
700
MJF18009
MJF13009
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Selector Guide
2–3
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
