BC 327 / BC 328
PNP
Si-Epitaxial PlanarTransistors
General Purpose Transistors
PNP
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard Pinning
1=C 2=B 3=E
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
B shorted
C open
- V
CE0
- V
CES
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
B
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 327
45 V
50 V
5V
625 mW
1
)
800 mA
1A
100 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 328
25 V
30 V
Characteristics, T
j
= 25
/
C
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
Group -16
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
Group -25
Group -40
Group -16
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 300 mA
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
160
250
60
100
170
Kennwerte, T
j
= 25
/
C
Typ.
160
250
400
130
200
320
Max.
250
400
630
–
–
–
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
01.11.2003
General Purpose Transistors
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom
- V
CE
= 45 V
- V
CE
= 25 V
- V
CE
= 45 V, T
j
= 125
/
C
- V
CE
= 25 V, T
j
= 125
/
C
BC 327
BC 328
BC 327
BC 328
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
–
–
–
–
BC 327 / BC 328
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
2 nA
2 nA
–
–
Max.
100 nA
100 nA
10
:
A
10
:
A
Collector-Emitter breakdown voltage
Collector-Emitter Durchbruchspannung
- I
C
= 10 mA
- I
C
= 0.1 mA
Emitter-Base breakdown voltage
Emitter-Basis-Durchbruchspannung
- I
E
= 0.1 mA
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 300 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
f
T
C
CB0
–
–
R
thA
100 MHz
12 pF
–
–
200 K/W
1
)
BC 337 / BC 338
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
- V
BE
–
–
1.2 V
- V
(BR)EB0
- V
CEsat
5V
–
–
–
–
0.7 V
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
BC 327
BC 328
BC 327
BC 328
- V
(BR)CES
- V
(BR)CES
- V
(BR)CES
- V
(BR)CES
20 V
45 V
30 V
50 V
–
–
–
–
–
–
–
–
Available current gain groups per type
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
BC 327-16
BC 328-16
BC 327-25
BC 328-25
BC327-40
BC328-40
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
3
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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