D 5809 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzul
ässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
200, 400
600
V
V
V
kA
kA
kA
kA
1
)
kA
A
2
s
A
2
s
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
RMS forward current
mean forward current
t
c
= 58 °C
t
c
= 130 °C
V
RSM
= V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
+ 50
9,1
5,8
3
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
I
FSM
I
2
t
81
70
32'800.000
24'500.000
Grenzlastintegral
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 18 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
V
T
V
T(TO)
r
T
i
R
max.
max.
1,47
0,7
0,04
100
V
V
mΩ
mA
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
beidseitig/two sided, DC
Anode/anode,
Θ
=180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode,
Θ
=180° sin
Kathode/cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
max.
t
vj max
t
c op
t
stg
0,0166 °C/W
0,0160 °C/W
0,0326 °C/W
0,0320 °C/W
0,0326 °C/W
0,0320 °C/W
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
180
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
1
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
DIN 40040
f = 50 Hz
50
Seite/page
∅
= 54 mm
Gehäuseform/case design T
F
G
typ.
30...60
530
40
kN
g
mm
C
m/s
2
) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
D 5809 N
10
4 9
8
7
6
5
T
i
FM
[A]
6400
3200
1600
0,010
Θ
800
400
200
∆
R
thJC
[°C/W]
4
Qr
[
µ
As]
3
2
Θ
T
10
3 9
0,005
8
7
6
5
4
3
2
Θ
0
30
D5809N_3
T
10
90
120
150
Θ
[°el]
180
2
60
0,1
D 5809N_7
1
10
-di
F
/dt
[A/µs]
100
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 3,3 µF; R = 1,5
Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
0,04
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
2; 3
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
τ
n
[s]
τ
n
[s]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
0,03
Z
(th)JC
[°C/W]
1
2
3
R
thn
°C/W
0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,00473 0,00747
0,000048 0,000843 0,00542 0,0572
0,229
1,13
R
thn
°C/W
0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185
0,000049 0,000969 0,0107
0,169
2,79
6,11
R
thn
°C/W
0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185
0,000049 0,000969 0,0107
0,169
2,79
6,11
0,02
1
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,01
Analytische Funktion / Analytical function
n
max
Z
thJC
=
Σ
R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
n=1
0
10
-3
D 5809N_2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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