Technische Information / Technical Information
Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 598 F 12 ... 13
T
vj
= - 40°C...T
vj max
F
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak foward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85 °C
T
C
= 47 °C
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
DIN IEC 747-6
f=50 Hz, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5th letter B
5. Kennbuchstabe / 5th letter C
5. Kennbuchstabe / 5th letter L
5. Kennbuchstabe / 5th letter M
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRSMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
1200
1300
1200
1300
1300
1400
1500
598
960
11.300
10.000
638
500
200
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A²s*10
3
A²s*10
3
A/µs
T
vj
= - 40°C...T
vj max
T
vj
= + 25°C...T
vj max
(dv
D
/dt)
cr
1)
50
500
500
1000
2)
50
500
50
500
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000 A
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max. 1,66
1,15
0,42
max. 250
max. 2,2
max. 10
max. 5
max. 0,25
max. 250
max. 1000
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
=12 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
A
= 10
Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK
>= 10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
i
D
, i
R
t
gd
max. 100
max. 1,5
mA
µs
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t
q
./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,
see parameters t
q
.
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 598 F 12 ... 13
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = siehe 5. Kennbuchstabe
-diT/dt = 20 A/µs
4. Kennbuchstabe
4. Kennbuchstabe
4. Kennbuchstabe
4. Kennbuchstabe
F
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
t
q
K
G
F
E
max. 40
max. 30
max. 25
max. 20
µs
µs
µs
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ=180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max. 0,038
max. 0,036
max. 0,0675
max. 0,065
max. 0,082
max. 0,080
R
thCK
max. 0,005
max. 0,010
T
vj max
125
°C/W
°C/W
°C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
c op
T
stg
-40...125
-40...150
°C
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
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F
G
typ.
9...18
160
17
C
50
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 598 F 12 ... 13
F
HK
4,8 x 0,8
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 598 F 12 ... 13
F
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
0,005
2,8
0,0128 0,0117
5
0,0195
5
36
36
0,02
36
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
0,00308 0,00451
0,00114
0,0145
0,0111 0,01215
0,0716
0,0131
0,1
0,0131
0,1
n
max
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,463
0,0186
0,69
0,0186
0,69
0,00315 0,00565
0,00116
0,0169
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,00315 0,00565
0,00116
0,0169
τ
n
[s]
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
∑
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
n=1
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 598 F 12 ... 13
F
4.000
3.500
3.000
2.500
i
T
[A]
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
v
T
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= 125 °C
2
2,5
3
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther
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京公网安备 11010802033920号
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