1N5400 ... 1N5408
1N5400 ... 1N5408
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-04-30
Nominal current
Nennstrom
Ø 4.5
+0.1
-
0.3
3A
50...1000 V
~ DO-201
0.8 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
Type
62.5
Ø 1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
1N5400
1N5401
1N5402
1N5404
1N5406
1N5407
1N5408
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
7.5
±0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
3 A
1
)
30 A
1
)
180/200 A
166 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
1N5400 ... 1N5408
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 1.2 V
< 5 µA
< 25 K/W
1
)
< 10 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
1
)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
I
F
10
-2
180a-(3a-1.2v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
10
î
F
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
