BYW27-50 ... BYW27-1000
BYW27-50 ... BYW27-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-10-16
Nominal current
Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A
50...1000 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
-2.5
+0.5
Type
Ø 0.77
±0.07
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
BYW27-50
BYW27-100
BYW27-200
BYW27-400
BYW27-600
BYW27-800
BYW27-1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
A
= 75°C
T
A
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
5.1
-0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1 A
1
)
0.8 A
1
)
10 A
1
)
50/55 A
12.5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BYW27-50 ... BYW27-1000
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
I
F
= 1 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 1.3 V
< 0.2 µA
< 5 µA
< 45 K/W
1
)
< 15 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
1
T
j
= 25°C
60
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-2
0.4
50a-(1a-1.3v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[A]
10
î
F
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2
FPGA/CPLD
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