Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode
BP 104 S
Chip position
0...0.1
1.2
1.1
0.3
1.1
0.9
0.2
0.1
6.7
6.2
4.5
4.3
1.6
±0.2
0.9
0.7
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-
Reflow-Löten
q
SMT-fähig
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
q
Suitable for SMT
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote controls
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
BP 104 S
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1605
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06862
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
4.0
3.7
1.7
1.5
0...5
˚
BP 104 S
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 85
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Symbol
Symbol
Wert
Value
55 (≥ 40)
850
400 ... 1100
Einheit
Unit
nA/lx
nm
nm
S
λ
S max
λ
A
L
×
B
L
×
W
H
4.84
2.20
×
2.20
mm
2
mm
×
mm
0.3
mm
ϕ
±
60
2 (≤ 30)
0.62
0.90
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
I
R
S
λ
η
Semiconductor Group
2
1997-11-19
BP 104 S
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Leerlaufspannung,
E
V
= 1000 lx
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
V
= 1000 lx
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
360 (≥ 280)
50
20
Einheit
Unit
mV
µA
ns
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TK
V
TK
I
NEP
1.3
48
– 2.6
0.18
3.6
×
10
– 14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.1
×
10
12
Semiconductor Group
3
1997-11-19
BP 104 S
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
OHF00078
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
v
)
Ι
P
10
3
µ
A
OHF02283
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
10
4
mV
S
rel
%
80
V
10
3
160
mW
P
tot
140
120
100
OHF00958
10
2
V
O
60
10
1
40
Ι
P
10
2
80
60
10
0
20
10
1
40
20
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
lx 10
4
0
0
20
40
60
E
V
80 ˚C 100
T
A
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
10
2
nA
OHF02284
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
60
OHF01778
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
C
pF
50
Ι
R
nA
10
2
Ι
R
10
1
40
10
1
30
10
0
20
10
0
10
10
-1
10
-1
0
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20
0
-2
10
10
-1
10
0
V
R
10
1
V 10
2
V
R
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-19
京公网安备 11010802033920号
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