QMS7301-302M0170 (2/4)
Full Bridge
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
ＩＧＢＴ
Module
１００Ａ／１２００Ｖ
110.0
4-Ø 6.5
ＰＢＭＢ１００Ｂ１２
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
3
2
1
4
5
4-M6
1
14 13
2
3
6 7
7
6
11
12
8
9
10
24
25
93.0
18
7
18
25
24
8-fasten tab
#110
7
18
8
30.0
4 5
9
LABEL
7
23
6 15 6
62.0
80.0
25.0
14
13
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（at T
C
=25℃ unless otherwise specified）
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
Ｒ½½½½
Ｖ½½½½
Ｕ½½½
12 11
Dimension:［mm½
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ
レ
ク
タ
損
失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
１，２００
±２０
１００
２００
５２０
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
(ＲＭＳ)
Ｎ・½
(kgf½cm)
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（at T
j
=25℃ unless otherwise specified）
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ｕ½½½
コ
レ
ク
タ
遮
断
電
流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ
ー
ト
漏
れ
電
流
Ｇ a t e - Ｅ m i t t e r Ｌ e a k a g e Ｃ u rr e n t
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 ½ 和 電 圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ
ー
ト
し き い 値 電 圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｔ hreshold Ｖ oltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓ w i t c h in g Ｔ im e
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ(sat)
Ｖ
ＧＥ(th)
Ｃ
½½½
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 100A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 100mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
600V
6.0Ω
10Ω
±15V
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
－
－
１.９
－
8,300
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
２.０
１.０
２.４
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
μ½
□ フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ
（at T
C
=25℃）
＆
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（at T
j
=25℃）
Ｖ½½½½
Ｕ½½½
Ｒ½½½½
順
電
流
Ｆ orward
Ｃ urrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
ＤＣ
１½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
１００
２００
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ａ
Ｕ½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆
回
復
時
間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱 的
特 性
：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｉ
Ｆ
= 100A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 100A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 200A/μs
－
－
１.９
０.２
２.４
０.３
Ｖ
μ½
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ｕ½½½
熱
抵
抗
Ｔ hermal Ｉ mpedance
ＩＧＢＴ
Ｄiode
Ｒth(j-c)
Junction to Case
－
－
－
－
０.２４
０.４２
℃／Ｗ
ＰＢＭＢ１００Ｂ１２
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
200
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=50A
200A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
100A
Collector Current I
C
(A)
150
9V
100
8V
50
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=125℃
800
700
600
500
400
16
I
C
=50A
200A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
100A
12
10
8
6
4
2
0
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=6Ω
T
C
=25℃
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
150
300
450
600
750
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
50000
20000
10000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1.6
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
Cies
1.4
1.2
V
CC
=600V
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
5000
2000
1000
500
200
1
0.8
0.6
0.4
t
OFF
Coes
t
f
Cres
100
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.2
0
t
ON
t
r
0
25
50
75
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
日本インター株式会社
ＰＢＭＢ１００Ｂ１２
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
10
5
(Typical)
200
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
toff
ton
tr
2
1
tf
0.5
Forward Current I
F
(A)
200
150
Switching Time t
(μs)
100
0.2
0.1
0.05
50
5
10
20
50
100
0
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
500
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
500
200
100
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
I
F
=100A
T
C
=25℃
trr
200
R
G
=10Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
50
Collector Current I
C
(A)
100
50
20
10
5
2
1
0.5
20
10
5
I
RrM
2
1
0
100
200
300
400
500
600
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
1
(℃/W)
5x10
-1
FRD
IGBT
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
1 Shot Pulse
2x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t
(s)
日本インター株式会社
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
