BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1120 nm
q
Hohe Linearität
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125
°C
1)
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm
q
High linearity
q
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
°C
1)
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
BPX 38
BPX 38-2
BPX 38-3
BPX 38-4
BPX 38-5
1)
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
Q 62702-P15-S5
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
217
10.95
fmo06018
BPX 38
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 125
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
50
200
7
220
450
V
mA
mA
V
mW
K/W
Semiconductor Group
218
BPX 38
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
880
450 ... 1120
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.675
1
×
1
2.05 ... 2.35
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
40
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
1.8
5.5
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
23
39
47
20 (≤ 300)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
219
BPX 38
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
-2
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Wert
Value
-3
-4
-5
Einh.
Unit
0.2 ... 0.4 0.32 ... 0.63 0.5 ... 1.0
≥
0.8 mA
0.95
1.5
2.3
3.6 mA
9
12
15
18
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
200
200
200
200
mV
I
PCE
I
PCB
170
280
420
650
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
220
BPX 38
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
/I
CEO25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Semiconductor Group
221
京公网安备 11010802033920号
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